STW15NB50

STW15NB50是ST意法半导体基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心设计通过精细的单元结构和沟槽工艺，有效降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时确保了在高压开关应用中的坚固性与可靠性。

该器件具备500V的漏源击穿电压（V_DSS），为离线式开关电源、电机驱动等应用提供了充足的电压裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达14.6A，配合仅360mΩ（典型条件下）的导通电阻，显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体能效。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现完全导通，栅极电荷（Q_g）典型值控制在80nC，这有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在电气参数方面，STW15NB50展现了全面的性能考量。其栅源阈值电压（V_GS(th)）最大值为5V，提供了良好的噪声抑制能力。输入电容（C_iss）为3400pF，与较低的栅极电荷共同决定了其动态开关特性。器件采用坚固的TO-247-3通孔封装，最大功耗能力达190W（壳温条件下），结温最高可承受150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供货与技术支持的用户，可以咨询官方授权的ST一级代理以获取相关支持。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，该器件非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与控制器、不间断电源（UPS）以及高频逆变器。其设计平衡了性能与成本，是许多中高功率离线式电源和驱动方案的经典选择之一。

• 型号:STW15NB50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14.6A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW15NB50是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格为500V漏源电压（V_DSS）和14.6A的连续漏极电流（I_D）。

其技术亮点在于实现了优异的导通性能，在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为360mΩ，配合80nC的低栅极电荷（Q_g），有效降低了导通与开关过程中的功率损耗。这些特性使其在高压、高频开关应用中能够提供出色的能效表现。

该器件设计坚固，最大功耗达190W，工作结温高达150°C，适用于对可靠性和热管理有严格要求的工业级功率电子系统。