STF7N105K5

STF7N105K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面MOSFET架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心设计旨在有效管理高电压应用中的电场分布，从而确保在高达1050V的漏源电压（Vdss）下依然具备可靠的阻断能力，同时将导通损耗控制在较低水平。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的高压性能与开关效率。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、2A漏极电流条件下典型值仅为2欧姆，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值低至17nC（@10V），结合380pF（@100V）的输入电容（Ciss），意味着器件需要更少的驱动能量即可实现快速开关，这对于提升高频开关电源的整体效率至关重要。其栅源电压（Vgs）支持±30V的最大范围，提供了宽裕且稳健的驱动设计空间。

在电气参数方面，STF7N105K5在壳温（Tc）条件下可支持4A的连续漏极电流，最大功率耗散为25W。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V（@100A），确保了良好的噪声免疫能力。器件采用TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，便于通过外部散热器进行高效的热管理，使其结温（TJ）工作范围可覆盖-55°C至150°C的严苛环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

凭借1050V的高耐压和优化的动态特性，这款MOSFET非常适用于需要处理高输入电压或存在高电压应力的功率转换场景。典型应用包括离线式开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源等。在这些应用中，它能够帮助设计者构建出高效率、高功率密度且鲁棒性强的电源解决方案。

• 型号:STF7N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF7N105K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其1050V的高漏源击穿电压（Vdss）与低至2欧姆（@10V，2A）的导通电阻，实现了高压环境下导通损耗的有效控制。

其电气特性经过优化，具备较低的栅极电荷（17nC @10V）和输入电容，有利于实现快速开关并降低驱动损耗，提升系统整体效率。在壳温条件下，器件支持4A连续电流和25W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性，适用于要求高耐压和高效率的功率转换应用。