STD18NF25

STD18NF25是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive系列，采用先进的STripFET II技术制造。该器件采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，专为在严苛的汽车电子及工业环境中实现高效率、高可靠性的功率开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过改进的沟槽栅极工艺，在保持快速开关特性的同时，显著降低了传导损耗。

该MOSFET具备250V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下高达17A的连续漏极电流（Id）能力，为高压侧开关和桥式拓扑结构提供了充足的电压与电流裕量。其关键性能指标突出表现在极低的导通电阻上，在10V栅极驱动电压、8.5A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为165毫欧，这直接转化为更低的通态功耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在29.5nC（@10V），结合1000pF的输入电容（Ciss），确保了快速的开关瞬态响应，有利于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，STD18NF25的标准栅极驱动电压为10V，栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，并允许±20V的栅源电压范围，提供了良好的噪声抑制能力和驱动灵活性。其最大结温（TJ）高达175°C，在壳温条件下的最大功率耗散可达110W，展现了出色的热性能和鲁棒性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST代理商获取该器件，确保产品的正品来源与技术支持。

凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关以及符合汽车级标准的可靠性，这款MOSFET非常适用于要求苛刻的应用场景。典型应用包括汽车领域的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、DC-DC转换器、燃油喷射系统，以及工业领域的开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和逆变器中的功率开关部分。其表面贴装DPAK封装也便于自动化生产，满足现代电子制造对高功率密度和紧凑布局的需求。

• 型号:STD18NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取STD18NF25的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD18NF25是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET II技术，并通过AEC-Q101汽车级认证。该器件设计用于高压、高电流开关应用，其核心参数包括250V的漏源电压（Vdss）和在壳温条件下17A的连续漏极电流（Id）处理能力。

其关键优势在于优异的导通性能，在10V Vgs条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为165毫欧，同时栅极电荷（Qg）低至29.5nC，这共同实现了低传导损耗与高开关效率的结合。封装形式为表面贴装DPAK，最大结温达175°C，功率耗散110W（Tc），确保了在汽车电子、工业电源等严苛环境下的可靠运行与长寿命。