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T1235-800G-TR

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNISTOR 800V 12A D2PAK
原厂封装:封装:D2PAK
优势价格,T1235-800G-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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T1235-800G-TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

T1235-800G-TR是ST意法半导体推出的一款高性能三端双向可控硅(TRIAC)器件,采用先进的ALTERNISTOR技术平台设计。该器件采用单路配置,核心架构优化了载流子寿命和导通均匀性,确保了在交流相位控制应用中的高可靠性和稳定性。其内部结构经过精心设计,能够在全象限(I+, I-, III+, III-)可靠触发,简化了栅极驱动电路的设计,同时有效抑制了由高dv/dt和di/dt引起的误触发风险。

该器件具备多项突出的功能特性。其800V的高断态电压提供了宽裕的电压裕量,能有效应对电网中的浪涌和瞬态过压,增强了系统在恶劣电气环境下的鲁棒性。通态电流有效值高达12A,结合优化的导通压降,确保了在承载大电流时仍能保持较低的功率损耗和温升。其栅极触发特性非常灵敏,最大触发电压(Vgt)仅为1.3V,最大触发电流(Igt)为35mA,这使得它能够被微控制器或逻辑电平信号轻松驱动,降低了外围驱动电路的复杂度和成本。此外,其非重复浪涌电流能力在50Hz和60Hz下分别达到120A和126A,展现出优异的抗瞬时过载能力。

在接口与参数方面,T1235-800G-TR采用表面贴装型的DPak(TO-263AB)封装,这种封装具有优异的散热性能,其金属裸露焊盘可直接焊接在PCB的铜箔上,通过PCB散热,简化了散热设计。其工作结温范围宽达-40°C 至 125°C,适用于严苛的工业温度环境。保持电流(Ih)最大值同样为35mA,确保了在负载电流波动时能够稳定维持导通状态,避免意外关断。

凭借其高电压、大电流、易驱动和强固的封装特性,该器件非常适合应用于需要交流功率调节和控制的领域。典型应用包括工业电机控制(如风扇、泵、压缩机的调速)、固态继电器、交流调光器、加热器功率控制以及家用电器中的通用交流开关。对于需要可靠、高性能TRIAC解决方案的设计工程师而言,通过正规的ST一级代理渠道获取此器件,是保障供应链稳定和产品原装正品的关键。

  • 型号:T1235-800G-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNISTOR 800V 12A D2PAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:800 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):120A,126A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):35 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):35 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
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T1235-800G-TR是ST意法半导体生产的一款表面贴装、无缓冲型三端双向可控硅。该器件核心优势在于其800V的高断态电压12A的有效通态电流能力,为交流相位控制应用提供了坚固的电气性能和充足的功率处理裕量。

其设计注重易用性与可靠性,最大栅极触发电压低至1.3V,触发电流为35mA,便于直接由低压逻辑电路驱动。采用TO-263(DPak)封装,具有良好的热性能,且工作温度范围覆盖-40°C至125°C,满足工业级应用的严苛环境要求。其高达120A以上的非重复浪涌电流能力,进一步确保了其在面对瞬时过载时的稳定运行。

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