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T2535-600G-TR的图片

T2535-600G-TR

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 25A D2PAK
原厂封装:封装:D2PAK
优势价格,T2535-600G-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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T2535-600G-TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

意法半导体(STMicroelectronics)推出的T2535-600G-TR是一款采用先进Alternistor技术的三端双向可控硅(TRIAC)器件。该器件采用无缓冲器设计,其核心架构基于优化的半导体工艺,实现了在单芯片上集成两个反向并联的晶闸管结构,从而能够高效控制交流负载的双向电流。这种设计确保了在交流电的正负半周都能实现可靠的触发和导通,为交流相位控制提供了简洁高效的解决方案。

该器件具备多项突出的功能特性。其600V的高断态电压提供了宽裕的电压裕量,能有效抑制线路中的电压瞬变和浪涌,增强了系统在恶劣电网环境下的可靠性。高达25A的RMS通态电流能力使其能够直接驱动中大功率的交流负载,如电机、加热器等,减少了对外部功率扩展电路的需求。其栅极触发特性尤为出色,最大栅极触发电压(Vgt)仅为1.3V,触发电流(Igt)最大为35mA,这意味着它能够被微控制器或逻辑电平信号轻松、直接地驱动,简化了栅极驱动电路的设计并降低了系统成本。

在接口与关键参数方面,T2535-600G-TR采用标准的表面贴装DPak(TO-263-3)封装,具有良好的散热性能和机械强度,适合自动化贴装生产。其非重复浪涌电流(Itsm)在50Hz和60Hz下分别高达250A和260A,展现了出色的抗瞬时过载能力。同时,最大保持电流(Ih)为80mA,确保了在低负载电流下的稳定导通。器件的工作结温范围宽达-40°C至125°C,使其能够适应工业、家电等各类严苛的环境温度要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购与咨询。

凭借其高电压、大电流、易驱动和强固的封装特性,T2535-600G-TR非常适合于需要相位控制或固态继电器的各类交流功率控制应用。典型应用场景包括工业交流电机调速、固态继电器模块、家用电器(如调光器、风扇调速器、咖啡机、取暖器)的功率控制,以及照明控制和无触点功率开关等。其高集成度和可靠性有助于工程师设计出更紧凑、高效且寿命长的功率控制系统。

  • 型号:T2535-600G-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 25A D2PAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:600 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):25 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):250A,260A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):35 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):80 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
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T2535-600G-TR是ST意法半导体生产的一款25A、600V三端双向可控硅,采用无缓冲器设计和Alternistor技术。该器件封装于表面贴装型DPak(TO-263-3),具备高电流承载能力和出色的抗浪涌性能,其50/60Hz下的非重复浪涌电流最高可达260A。

其核心优势在于极低的驱动需求,最大栅极触发电压仅1.3V,触发电流最大35mA,可直接由微控制器接口驱动,极大简化了外围电路。宽泛的工作结温范围(-40°C ~ 125°C)确保了其在工业与消费类应用中的稳定性和可靠性,适用于电机控制、加热调节及固态继电器等交流开关场景。

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