SCTWA90N65G2V-4

SCTWA90N65G2V-4是ST意法半导体基于第三代宽禁带半导体技术推出的高性能功率器件。该器件采用先进的碳化硅（SiC）结晶体管（SJT）架构，这是一种结合了MOSFET电压驱动特性和双极晶体管低导通损耗优势的混合结构。其N沟道设计在650V的漏源电压（Vdss）下工作，在25°C壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达119A，最大功率耗散为565W。这种架构的核心优势在于显著降低了开关损耗和导通损耗，同时保持了出色的高温稳定性，其结温（TJ）工作范围宽达-55°C至200°C。

该器件在电气性能上表现卓越，其导通电阻（Rds(on)）在50A电流和18V栅极驱动电压下，最大值仅为24毫欧，确保了在导通状态下的高效率。其栅极电荷（Qg）在18V条件下最大值为157nC，较低的Qg值意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于高频应用至关重要。输入电容（Ciss）在400V漏源电压下最大为3380pF，结合优化的栅极阈值电压（Vgs(th)最大5V @ 1mA）和宽泛的栅源电压范围（+22V， -10V），为设计者提供了稳定且易于驱动的接口，有助于简化栅极驱动电路的设计。

在封装方面，SCTWA90N65G2V-4采用了通孔安装的HiP247长引线封装。这种封装形式不仅提供了优异的散热路径，能够将芯片产生的热量高效传导至散热器，其坚固的机械结构也确保了在严苛工业环境下的长期可靠性。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高电压、大电流、低损耗以及优异的高温工作能力，该器件非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。其主要目标市场包括工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车车载充电机（OBC）以及服务器和通信电源等中高功率开关电源领域。在这些应用中，它能有效提升系统整体效率，减小散热器尺寸，从而帮助实现更紧凑、更可靠的电源解决方案设计。

• 型号:SCTWA90N65G2V-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
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SCTWA90N65G2V-4是ST意法半导体推出的一款采用碳化硅（SiC）结晶体管（SJT）技术的N沟道功率器件。该器件额定电压为650V，在25°C壳温下可连续通过119A电流，最大功率耗散达565W，具备宽泛的-55°C至200°C工作结温范围，适用于高可靠性要求的工业环境。

其核心电气特性优势显著：导通电阻（Rds(on)）低至24毫欧（@50A, 18V），有效降低了导通损耗；栅极电荷（Qg）仅为157nC（@18V），有利于实现高频、低损耗的开关操作。器件采用HiP247通孔封装，提供了卓越的散热性能和机械鲁棒性。