STW15NM60ND

STW15NM60ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于第二代超级结（Super Junction）技术，通过精密的电荷平衡工艺，在相同的芯片面积下，显著降低了特定导通电阻（Rds(on)），从而提升了整体能效。这种架构使得器件在高压开关应用中能够有效管理电场分布，增强雪崩耐量和开关鲁棒性。

该MOSFET的突出特性体现在其600V的漏源击穿电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id）能力上，这使其能够胜任严苛的高压环境。其导通电阻在10V栅极驱动电压、7A漏极电流条件下典型值仅为299毫欧，较低的Rds(on)直接转化为更低的导通损耗和发热。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在40nC（@10V），结合1250pF的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损耗，这对于高频开关电源设计至关重要。其栅源电压（Vgs）支持±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在电气参数方面，该器件在25°C管壳温度下最大功耗为125W，结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在宽温环境下的可靠性。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V，具备良好的噪声抑制能力。该产品采用标准的TO-247-3通孔封装，便于散热器安装和功率耗散，是工业级功率设计的常见选择。用户可以通过官方授权的ST代理获取详细的技术支持与供应链服务。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，STW15NM60ND非常适用于需要高效能量转换的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、电机驱动与控制、不间断电源（UPS）以及工业照明中的电子镇流器。在这些场景中，它能够有效提升系统效率，降低热设计复杂度，尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中仍具有重要参考价值。

• 型号:STW15NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW15NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和14A连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势在于实现了优异的导通特性，在10V栅极驱动下导通电阻（Rds(on)）低至299毫欧（@7A），同时栅极电荷（Qg）最大值为40nC，这共同保障了较低的导通损耗与高效的开关性能。这些参数使其成为追求高能效的开关电源、电机驱动和功率转换系统的关键组件。