STW16NK60Z

STW16NK60Z是ST意法半导体基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟槽栅极架构，通过优化单元密度和沟槽设计，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。其核心设计目标是在600V的高压应用中实现高效率的能量转换，这得益于其内部结构对载流子迁移和电场分布的精细控制，从而在导通损耗和开关性能之间取得了良好平衡。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压高达600V，为离线开关电源、电机驱动等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在10V栅极驱动下，导通电阻典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗，有助于提升整体能效。同时，其栅极电荷和输入电容经过优化，有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计。其最大结温可达150°C，结合TO-247-3封装良好的热传导特性，使其能够承受较高的功率耗散，满足严苛环境下的连续工作需求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关服务与资源。

在接口与参数方面，该器件采用标准的三引脚TO-247-3通孔封装，便于安装和散热处理。其连续漏极电流在壳温条件下额定为14A，栅源电压最大耐受范围为±30V，为驱动电路设计提供了灵活性。关键的动态参数，如特定条件下的栅极电荷和输入电容，为评估开关速度和驱动功率需求提供了明确依据。这些参数共同定义了其在开关电路中的表现，工程师可根据这些数据精确设计缓冲电路和选择驱动IC。

凭借其高压、低导通电阻和高可靠性的特点，STW16NK60Z非常适合应用于需要高效功率处理的领域。典型应用包括工业级开关模式电源的PFC和主开关电路、UPS不同断电源的逆变模块、以及空调、洗衣机等家电中的电机驱动和压缩机控制。此外，在照明领域，如大功率LED驱动和电子镇流器中，它也能作为核心开关元件，实现稳定高效的电能变换。尽管该产品已处于停产状态，但其设计理念和性能指标在同类应用中仍具有重要的参考价值。

• 型号:STW16NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:86 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW16NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心额定参数为600V漏源电压和14A连续漏极电流，专为高压、大电流开关应用而设计。

其技术亮点在于通过优化的内部结构实现了较低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提升系统效率。同时，其栅极电荷特性经过平衡，有利于实现较快的开关速度并控制驱动损耗。该器件支持高达150°C的结温工作，结合封装的热性能，确保了在功率转换和电机控制等应用中的稳定性和耐用性。