STW16NM50N

作为ST意法半导体MDmesh II系列中的一员，STW16NM50N是一款采用N沟道技术的高压功率MOSFET，其核心架构基于先进的平面工艺与独特的单元结构设计。该设计旨在优化电荷平衡，从而在高压条件下实现更低的导通电阻和更快的开关速度。其500V的漏源击穿电压（Vdss）确保了器件在严苛的工业环境中的高可靠性，而高达150°C的结温（TJ）则赋予了其出色的热稳定性，使其能够在高温应用中稳定工作。

该器件的功能特点突出体现在其优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为260毫欧（在7.5A条件下），这意味着在导通状态下的功率损耗被显著降低，有助于提升整体系统的能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在38nC，较低的栅极电荷有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，系统响应更迅速。对于寻求可靠货源的设计者，可以通过授权的ST一级代理获取此型号的技术支持与供应服务。

在接口与关键参数方面，STW16NM50N采用标准的TO-247-3通孔封装，便于安装和散热。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C时可达15A，最大功率耗散为125W，展现了强大的电流处理与功率承载能力。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，提供了较宽的安全工作裕度。输入电容（Ciss）最大值为1200pF，与较低的Qg特性相结合，共同优化了开关性能。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的参数组合依然在诸多存量设计和特定应用中具有重要参考价值。

基于其高压、大电流和低损耗的特性，这款MOSFET非常适用于对效率和可靠性要求较高的功率转换场景。典型的应用领域包括工业开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、不同断电源（UPS）系统的逆变与整流模块、电机驱动与控制器的功率级，以及电焊机等专业工业设备。在这些应用中，它能够有效处理高功率负载，同时通过降低导通与开关损耗来提升系统整体效率，是构建高效、紧凑型功率解决方案的关键元件之一。

• 型号:STW16NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 15A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW16NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其成熟的MDmesh II产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心参数包括500V的漏源电压（Vdss）和15A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势在于优异的导通与开关性能平衡。在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至260毫欧，能显著降低导通损耗。同时，最大38nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，从而提升整体电源系统的转换效率与功率密度。这些特性使其成为工业电源、电机驱动等高效能功率转换设计的理想选择。