STW18NM60N

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STW18NM60N是一款采用先进MDmesh II技术平台的高压N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247-3通孔封装，其核心设计旨在优化开关性能与导通损耗的平衡，为高功率密度和高效率应用提供了可靠的半导体解决方案。其600V的漏源击穿电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id）额定值，使其能够在严苛的开关环境下稳定工作，同时其栅极驱动设计兼容常见的10V驱动电平，便于系统集成。

该MOSFET的关键特性在于其优异的动态与静态性能指标。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压、6.5A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至285毫欧，这直接降低了器件在导通状态下的功率损耗，有助于提升整体系统效率。其动态特性同样出色，在10V Vgs条件下的栅极总电荷（Qg）最大值仅为35nC，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，特别适用于高频开关应用。此外，其输入电容（Ciss）也得到良好控制，有助于简化栅极驱动电路的设计并减少驱动损耗。

在电气参数上，STW18NM60N具备±25V的宽栅源电压（Vgs）耐受范围，为驱动电路的设计提供了更高的鲁棒性和灵活性。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。该器件在管壳温度（Tc）下的最大功率耗散为110W，结合其-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了其在各种环境温度下的高可靠性运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST一级代理进行采购与咨询。

基于其高压、低导通电阻和快速开关的特性，STW18NM60N非常适合于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等新能源转换系统。在这些应用中，它能够有效处理高电压和大电流，是实现紧凑、高效能电源设计的关键元器件之一。

• 型号:STW18NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:285 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW18NM60N是ST意法半导体基于MDmesh II技术开发的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。其核心电气规格包括600V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件的核心优势在于优异的导通与开关性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs下低至285毫欧（@6.5A），有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值35nC @10V）确保了快速的开关瞬态，有助于提升系统效率并降低开关损耗。这些特性使其成为高效率电源和功率转换设计的理想选择。