STW20NM50FD

STW20NM50FD是ST意法半导体基于其先进的FDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心在于通过精细的单元几何结构和创新的工艺处理，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关特性。这种架构使得器件在高压大电流工作条件下，能够有效管理功率密度和热性能，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达500V，确保了在工业级AC-DC电源、电机驱动等高压应用中的可靠性与安全性。在导通性能方面，器件在10V栅极驱动电压、10A漏极电流条件下，导通电阻典型值远低于250毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为53nC，结合适中的输入电容，有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升开关频率，使得电源设计能够朝着更高功率密度和更快的动态响应方向发展。其结温（Tj）最高可承受150°C，并采用TO-247-3通孔封装，提供了强大的功率耗散能力（最大214W），确保了在苛刻环境下的长期稳定运行。

在接口与参数层面，STW20NM50FD作为标准的三引脚器件，其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压可承受±30V，增强了设计的鲁棒性。阈值电压Vgs(th)最大值为5V，提供了良好的噪声抑制能力。这些参数共同定义了一个性能边界清晰、易于驱动和控制的功率开关。对于需要可靠元器件供应和技术支持的客户，可以通过正规的ST授权代理渠道进行采购与咨询，以获取原厂品质保证和完整的应用支持。

凭借其高压、大电流、低损耗的特性组合，该器件非常适合于对效率和可靠性有严苛要求的应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中PFC（功率因数校正）级和主变换级、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及电焊机等设备的理想选择。在这些应用中，它能够有效提升整机效率，减少散热需求，并有助于实现更紧凑的系统设计。

• 型号:STW20NM50FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1380 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:214W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW20NM50FD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的FDmesh产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格为500V漏源电压（Vdss）和20A连续漏极电流（Id），为高压大电流开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的导通与开关性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至250毫欧以下，有效降低了导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg，最大53nC）有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，从而提升整体电源转换效率。器件支持高达150°C的结温，并具备214W的强散热能力，确保了在高功率密度设计中的可靠性与长寿命。