STW21NM50N

STW21NM50N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶硅上集成了独特的网格状漏极布局，这一核心架构有效降低了单元密度，从而在保持高阻断电压能力的同时，显著优化了导通电阻与栅极电荷之间的关键权衡关系。其设计目标是在高频开关应用中实现更低的传导损耗和开关损耗，提升整体能效。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压(Vdss)和18A的连续漏极电流(Id)能力，为离线电源和电机驱动应用提供了充足的电压裕量和电流处理能力。其导通电阻(Rds(on))在10V驱动电压、9A测试条件下典型值仅为190毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的通态损耗。同时，器件拥有较低的栅极电荷(Qg)，最大值仅为65nC @ 10V，结合1950pF的输入电容，意味着驱动电路所需提供的开关能量更小，这不仅简化了栅极驱动设计，还有助于实现更高频率的开关操作，减少开关过程中的损耗。

在接口与参数方面，STW21NM50N采用工业标准的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其结壳热阻较低，支持高达140W（Tc）的功率耗散。器件的栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±25V的Vgs，增强了系统的鲁棒性。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。最高结温(TJ)为150°C，确保了在严苛环境下的可靠工作。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取相关技术支持和库存信息。

得益于其高电压、低损耗和高开关频率的潜力，STW21NM50N非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源(SMPS)的PFC（功率因数校正）级和主变换器、工业电机驱动与变频器、不同断电源(UPS)以及电焊机等功率转换设备。在这些应用中，它能够有效提升系统效率，减少散热需求，并有助于实现更紧凑的电源设计方案。

• 型号:STW21NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 18A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW21NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心电气参数包括500V的漏源电压(Vdss)和18A的连续漏极电流(Id)，为高压功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(on))低至190毫欧（@9A），确保了较低的传导损耗。同时，栅极电荷(Qg)最大值仅为65nC，配合1950pF的输入电容，使得开关速度快，开关损耗显著降低，特别适合高频开关电源设计。这些特性共同指向高效率和高功率密度的应用目标。