STW23NM50N

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STW23NM50N是一款采用N沟道设计的功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh II产品系列。该器件采用TO-247-3通孔封装，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构基于优化的垂直DMOS工艺，结合了多外延层和创新的单元布局，旨在实现低导通电阻与快速开关性能之间的出色平衡，从而有效降低传导和开关损耗。

该器件具备500V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量，增强了系统在高压环境下的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为17A，能够处理可观的功率等级。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压和8.5A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为190毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为45nC，结合1330pF的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关瞬态，减少开关过程中的能量损失，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，STW23NM50N的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力。其最大栅源电压（Vgs）为±25V，为驱动设计提供了灵活性。该器件的最大功率耗散为125W（Tc），最高结温（TJ）可达150°C，展现了其稳健的热性能。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过ST中国代理获取相关的技术支持和库存信息。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代型号。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，这款MOSFET非常适合应用于要求严苛的功率电子领域。典型的应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、以及不同断电源（UPS）和太阳能逆变器等新能源转换系统。在这些应用中，它能够有效提升功率密度和能源转换效率。

• 型号:STW23NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1330 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW23NM50N是ST意法半导体MDmesh II系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。其核心优势在于500V的高漏源电压与低至190毫欧（最大值）的导通电阻的出色结合，在17A的连续电流额定值下，能显著降低导通损耗，提升系统效率。

该器件具备优化的动态特性，最大栅极电荷仅为45nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。其设计支持高达150°C的结温工作，最大功耗125W，确保了在严苛环境下的可靠性与热稳定性，适用于高效率电源和功率转换应用。