STW24N60DM2

STW24N60DM2是ST意法半导体基于其先进的FDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心架构通过精细的单元密度控制和创新的沟槽栅极工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时确保了在高电压工作条件下的坚固性与可靠性，为高效率功率转换应用奠定了坚实的物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC转换及电机驱动中常见的电压应力。在导通特性方面，器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值远低于200毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，优化的栅极电荷（Qg，最大值29nC）与输入电容（Ciss）参数，有助于降低开关过程中的驱动损耗和开关噪声，使得开关频率得以提升，从而允许使用更小体积的磁性元件。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，并采用坚固的TO-247通孔封装，确保了在恶劣环境下的长期稳定运行和出色的散热能力。

在接口与参数层面，STW24N60DM2标称连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下为18A，最大功耗达150W，提供了充裕的电流处理能力。其栅极阈值电压（Vgs(th)）设计合理，具备良好的噪声免疫性，而±25V的最大栅源电压则为驱动电路设计提供了灵活性和安全裕度。这些参数共同定义了一个性能边界清晰、易于设计应用的功率开关解决方案。用户可通过官方ST代理获取完整的数据手册、应用笔记以及技术支持，以优化设计。

凭借其高电压、低损耗及快速开关的特性，STW24N60DM2非常适用于对效率和可靠性有严苛要求的功率电子领域。典型应用包括服务器和通信设备的开关电源（SMPS）初级侧PFC（功率因数校正）和DC-DC转换电路、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及新能源领域的太阳能逆变器和充电桩模块。在这些场景中，它能够有效提升系统能效，减少热设计复杂度，并增强整体方案的功率密度与鲁棒性。

• 型号:STW24N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:200 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1055 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW24N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-247封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能上。器件具备极低的导通电阻（Rds(on)），有助于最小化导通损耗；同时，优化的低栅极电荷（Qg）特性确保了快速、高效的开关行为，从而降低开关损耗并允许更高的工作频率。这些特性使其成为追求高效率和高功率密度设计的理想选择。

该MOSFET适用于广泛的工业与消费类电源应用，如开关电源、电机驱动、PFC电路及逆变器系统，其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）也保证了其在苛刻环境下的可靠运行。