STW24NM60N

STW24NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于第二代MDmesh技术，该技术通过创新的单元结构和加工工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时优化了内部电容参数，从而提升了开关性能与效率。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业级AC-DC变换及电机驱动中常见的电压应力。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为17A，结合仅190mΩ（典型条件下）的低导通电阻，确保了在导通状态下具有较低的功率损耗。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。此外，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为46nC，配合1400pF的输入电容（Ciss），有助于降低开关过程中的驱动损耗，简化驱动电路设计，并提升系统的开关频率潜力。

器件采用坚固的TO-247通孔封装，这种封装形式具有优异的热性能和较高的功率处理能力，其最大功率耗散为125W（Tc）。宽广的结温工作范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟可靠的设计在诸多存量及特定设计中仍被广泛采用。对于需要此类高性能分立器件的用户，通过正规的ST一级代理渠道进行咨询和采购，是获取可靠货源和技术支持的重要途径。

在应用层面，STW24NM60N的高压、大电流特性使其非常适合用于开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器的逆变桥臂，以及不间断电源（UPS）和焊接设备等功率转换领域。其低导通电阻和良好的开关特性有助于提升这些系统的整体能效和功率密度，是工程师构建高效、可靠功率系统的经典选择之一。

• 型号:STW24NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW24NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-247封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和17A的连续漏极电流（Id），为高压功率应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至190mΩ，能有效降低导通损耗。同时，最大46nC的低栅极电荷（Qg）有助于减少开关损耗并简化驱动电路设计，提升系统效率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和工业逆变器等应用中追求高效率与可靠性的理想功率开关解决方案。