STW24NM65N

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STW24NM65N是一款采用TO-247-3封装的N沟道功率MOSFET，隶属于其成熟的MDmesh II产品系列。该器件基于先进的超结（Super-Junction）技术构建，通过优化内部单元结构和电荷平衡，在650V的高漏源电压（Vdss）额定值下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡。这种架构设计旨在显著降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体能效，尤其适用于高频开关应用环境。

在功能特性方面，STW24NM65N在25°C壳温（Tc）条件下可提供高达19A的连续漏极电流（Id），其导通电阻典型值在10V驱动电压（Vgs）和9.5A电流下仅为190毫欧，确保了在导通状态下具有较低的功率耗散。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在70nC（@10V），结合2500pF（@50V）的输入电容（Ciss），有助于实现快速、干净的开关切换，减少开关过程中的电压电流应力与电磁干扰（EMI）。其栅源电压（Vgs）耐受范围宽达±25V，提供了稳健的驱动鲁棒性。对于需要可靠供应链与技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取产品信息与采购支持。

该器件的主要电气参数为其在高性能电源系统中的表现奠定了基础。除了650V的击穿电压和19A的电流能力，其最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为4V（@250A），确保了良好的噪声免疫能力。在热管理方面，其最大功率耗散能力为160W（Tc），结合TO-247-3通孔封装优良的散热特性，使其能够在-55°C至150°C的宽结温（TJ）范围内稳定工作，满足工业级应用的可靠性要求。

基于其高耐压、低导通损耗和快速开关性能，STW24NM65N非常适合于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主变换器拓扑（如反激、正激、半桥）、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及电焊机等功率转换设备。其设计旨在帮助工程师优化系统效率，减小散热器尺寸，并提升终端产品的整体可靠性。

• 型号:STW24NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW24NM65N是ST意法半导体MDmesh II系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3通孔封装。该器件核心优势在于其650V的高漏源击穿电压（Vdss）与19A（Tc）的连续电流处理能力，结合仅190毫欧（@10V，9.5A）的低导通电阻，有效降低了功率传导损耗。

其开关特性经过优化，最大栅极电荷（Qg）为70nC，有助于实现快速开关并降低开关损耗，适用于高频工作环境。器件支持±25V的宽栅极驱动电压范围，并提供160W（Tc）的功率耗散能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛工业应用中的稳健性与可靠性。