STW26N60M2

STW26N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡，这一核心架构使其在高压开关应用中能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。其设计充分考虑了高压环境下的可靠性，确保了器件在严苛工况下的稳定运行。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC转换及电机驱动中常见的高压母线；在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）可达20A，提供了可观的电流处理能力。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值远低于165毫欧（@10A），这意味着更低的通态压降和发热量。同时，其栅极总电荷（Qg）典型值仅为34nC（@10V），结合1360pF的输入电容（Ciss @100V），共同构成了快速的开关特性，有助于减少开关过渡时间并降低驱动电路的负担，使得设计高频、高效的开关电源成为可能。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-247（IXFH）通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大结温（Tj）支持到150°C，在配备适当散热器的情况下，最大功率耗散可达169W（Tc）。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±25V的应力，为驱动电路设计提供了灵活性，而阈值电压Vgs(th)最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。用户可以通过官方ST代理获取完整的技术文档、样品以及全面的设计支持。

凭借其高性能与高可靠性，STW26N60M2非常适合于要求严苛的功率电子应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中PFC（功率因数校正）级和主逆变桥臂的理想选择，尤其适用于服务器电源、通信电源等高效能系统。同时，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电焊机等设备中，该器件也能发挥其高压、大电流开关的优势，帮助系统实现更高的功率密度和更优的能效表现。

• 型号:STW26N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:169W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW26N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能MDmesh M2产品系列。该器件设计用于高压、大电流的开关应用，其核心优势在于优异的动态与静态性能平衡。

它提供600V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id）处理能力。关键参数方面，其导通电阻（Rds(on)）在10A、10V条件下典型值极低，同时栅极电荷（Qg）也保持在较低水平，这共同确保了低传导损耗和高频开关效率。器件采用TO-247封装，最大结温150°C，适合要求高可靠性与散热能力的工业及消费类电源解决方案。