STW26N65DM2

STW26N65DM2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于DM2（Drain-Mesh 2）架构，该架构通过创新的单元布局和电荷平衡技术，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了快速开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其650V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等应用中的高压应力环境。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达20A，配合仅190mΩ（典型条件下）的低导通电阻，能够有效降低导通状态下的功率损耗，减少发热。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且栅极电荷（Qg）最大值控制在35.5nC，这有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。此外，其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用坚固的TO-247通孔封装，确保了器件在苛刻环境下的长期可靠性与强大的散热能力。

从接口与参数角度看，STW26N65DM2作为三端器件，其引脚定义符合行业标准。关键动态参数如输入电容（Ciss）在100V偏压下最大为1480pF，与较低的Qg值共同决定了其较快的开关速度。最大栅源电压（Vgs）为±25V，为驱动电路提供了充足的裕量。其高达170W（Tc）的功率耗散能力，结合TO-247封装优良的热性能，使其能够处理可观的峰值功率。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取稳定的货源与深入的应用指导。

得益于其高性能与高可靠性，STW26N65DM2非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括服务器和通信设备的开关电源（SMPS）初级侧PFC（功率因数校正）和硬/软开关拓扑、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及高效照明（如LED驱动）的功率级。在这些场景中，它能够帮助系统设计者实现更高的能效等级、更紧凑的尺寸以及更稳健的运行。

• 型号:STW26N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STW26N65DM2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STW26N65DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用TO-247封装，核心额定参数为650V漏源电压（Vdss）与20A连续漏极电流（Id），专为高压、大电流开关应用而设计。

其技术优势体现在采用先进的DM2技术，实现了低至190mΩ（@10Vgs， 10A）的导通电阻（Rds(on)）与仅35.5nC的栅极电荷（Qg），这一组合有效优化了导通损耗与开关损耗的平衡。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和170W的功率处理能力，确保了其在工业级电源转换、电机驱动等严苛环境下的卓越可靠性与散热性能。