STW30NM50N

作为ST意法半导体MDmesh II产品系列中的一员，STW30NM50N是一款采用N沟道技术的高压功率MOSFET，其核心架构基于先进的MDmesh II技术平台。该技术通过优化单元结构和垂直掺杂分布，在保持高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），从而实现了优异的开关性能与导通损耗的平衡。其500V的漏源击穿电压（Vdss）为设计提供了宽裕的安全裕度，确保在高压应用中的稳定运行。

该器件的功能特点突出体现在其高效率与强健性上。在25°C壳温（Tc）下，其连续漏极电流（Id）额定值高达27A，而导通电阻在10V驱动电压、13.5A电流条件下最大值仅为115毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗极低。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在94nC @ 10V，结合2740pF @ 50V的输入电容（Ciss），共同决定了其快速的开关速度，有助于降低开关损耗，提升系统整体能效。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，增强了栅极驱动的可靠性。

在接口与关键参数方面，STW30NM50N采用经典的TO-247-3通孔封装，便于安装和散热。其最大功率耗散能力在壳温条件下为190W，结合高达150°C的结温（TJ）工作范围，赋予了器件出色的热管理能力和在恶劣环境下的运行潜力。值得注意的是，该器件已处于停产状态，在进行新设计选型时，建议通过ST授权代理咨询替代产品或库存信息，以确保供应链的稳定性。

凭借其高压、大电流和低导通电阻的特性，STW30NM50N非常适用于对效率和功率密度有较高要求的离线式开关电源（SMPS）拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、硬开关和软开关桥式架构。此外，它在电机驱动、不间断电源（UPS）、工业逆变器和电焊机等工业电力转换系统中，也能作为核心开关元件，提供可靠的高功率处理能力。

• 型号:STW30NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 27A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:115 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2740 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW30NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II系列。该器件设计用于高压、高功率应用，其核心优势在于500V的漏源电压（Vdss）和高达27A的连续漏极电流（Id）承载能力。

其技术亮点在于实现了低导通损耗与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为115毫欧，同时栅极电荷（Qg）被优化至94nC，这共同保障了高效率的功率转换。器件采用TO-247-3封装，最大耗散功率190W，工作结温可达150°C，展现出强大的热性能和可靠性，适用于要求严苛的工业电源与驱动场景。