STW37N60DM2AG

STW37N60DM2AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的MDmesh DM2系列N沟道功率MOSFET，采用先进的垂直结构设计，专为要求高效率和可靠性的高压开关应用而优化。该器件基于成熟的平面工艺，通过创新的单元结构和外延层优化，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)）。其核心在于平衡了栅极电荷（Qg）、输出电容（Coss）和导通电阻之间的关系，这对于实现高频开关下的低开关损耗和低导通损耗至关重要，是提升系统整体能效的关键。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其额定漏源电压（Vdss）高达600V，能够从容应对工业及汽车环境中常见的电压应力和浪涌。在25°C壳温下，连续漏极电流（Id）可达28A，展现了强大的电流处理能力。其导通电阻在14A电流、10V栅极驱动电压下典型值仅为110毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，栅极电荷（Qg）最大值控制在54nC（@10V），结合适中的输入电容，意味着驱动电路的设计可以更简单，开关速度更快，有助于降低驱动损耗并提升开关频率。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散为210W（Tc）。其栅极驱动电压范围宽，最大可承受±25V的栅源电压，为驱动设计提供了灵活性。阈值电压Vgs(th)最大值为5V，确保了良好的噪声抑制能力。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，完全符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，能够满足严苛环境下的长期稳定运行需求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取详细的产品资料、样品及采购服务。

凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关特性以及汽车级的可靠性认证，STW37N60DM2AG非常适合于对效率和鲁棒性有严格要求的应用场景。它广泛应用于服务器和通信设备的开关电源（SMPS）功率因数校正（PFC）和DC-DC变换级、工业电机驱动和变频器、不间断电源（UPS）以及电动汽车的车载充电机（OBC）和直流转换器等关键领域。在这些应用中，它能够有效提升系统功率密度和能源转换效率，是实现高能效电力电子设计的优选功率开关器件。

• 型号:STW37N60DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 28A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW37N60DM2AG是意法半导体基于MDmesh DM2技术开发的N沟道功率MOSFET，属于符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列。该器件核心优势在于其600V的漏源击穿电压和28A的连续漏极电流处理能力，为高压大电流开关应用提供了坚实的基础。

其关键技术参数包括在10V栅极驱动下仅110毫欧的最大导通电阻，以及54nC的低栅极电荷。这些特性共同确保了器件兼具低导通损耗与快速的开关性能，有助于提升系统整体效率并允许更高的工作频率。TO-247封装提供了良好的散热路径，结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够满足汽车和工业领域对高可靠性与鲁棒性的严苛要求。