STW3N170

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STW3N170是一款基于先进PowerMESH技术平台的高压N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现高阻断电压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心设计通过精细的单元结构和创新的工艺处理，有效降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时确保了在高达1700V的漏源电压（V_DSS）下具备可靠的雪崩耐量和稳定的开关特性。

该MOSFET的显著特性包括其高达1700V的额定击穿电压，这使其能够从容应对工业级高压环境下的电压应力。在导通性能方面，其在10V栅极驱动电压、1.3A漏极电流条件下的典型导通电阻仅为13欧姆，配合低至44nC的栅极总电荷（Qg），共同贡献了出色的开关效率，有助于降低开关损耗并提升系统整体能效。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为5V，提供了良好的噪声抑制能力，而±30V的最大栅源电压范围则增强了驱动的鲁棒性。

在电气参数上，STW3N170在壳温（T_C）条件下支持2.6A的连续漏极电流，最大功率耗散为160mW。其输入电容（C_iss）在100V漏源电压下最大值为1100pF，这些参数为设计者进行栅极驱动电路设计和热管理提供了关键依据。器件采用坚固的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的长期可靠性。对于需要可靠元件供应的项目，可以通过官方授权的ST代理商获取此型号以确保产品正品与技术支持。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，此器件非常适用于对电压等级和效率有严格要求的应用场景。典型应用包括工业开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、高压DC-DC转换器、UPS（不间断电源）系统以及各类电机驱动和照明镇流器中的功率开关部分。它是工程师在构建高效、紧凑型高压功率解决方案时的理想选择。

• 型号:STW3N170
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 欧姆 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW3N170是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心额定参数为漏源电压1700V，在壳温条件下连续漏极电流达2.6A，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为13欧姆（@1.3A），同时栅极电荷（Qg）低至44nC，这有效降低了导通损耗和开关损耗，提升了系统整体效率。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和±30V的栅源电压容限，进一步保障了其在复杂工业环境中的稳定性和耐用性。