STW45N60DM2AG

STW45N60DM2AG是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的卓越平衡。这种架构的核心在于其创新的单元布局和沟槽栅技术，有效降低了单位面积的导通损耗，同时通过精心设计的栅极结构显著减少了开关过程中的电荷相关损耗，从而为高效率、高频率的开关应用奠定了坚实的物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其额定漏源电压（Vdss）高达600V，确保了在工业级AC-DC转换或电机驱动等高压环境下的可靠阻断能力。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）可达34A，配合仅93毫欧（在17A，10V条件下）的最大导通电阻，意味着在导通状态下的功率损耗极低。更值得关注的是其栅极电荷（Qg）最大值仅为56nC（在10V条件下），这一关键参数直接关系到开关速度与驱动电路的功率需求，较低的Qg值使得器件能够实现更快的开关切换，并降低了对栅极驱动器的要求，有助于简化系统设计并提升整体能效。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散能力为250W（Tc）。其栅源电压（Vgs）支持±25V的最大范围，提供了较高的噪声抑制容限。驱动电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了与常见逻辑电平或驱动IC的良好兼容性。此外，其工作结温范围宽达-55°C至150°C，符合汽车级AEC-Q101标准，满足严苛环境下的可靠性要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取详细的产品资料、样品以及本地化的服务。

凭借高压、大电流、低损耗和高可靠性的综合优势，STW45N60DM2AG非常适用于对效率和功率密度有严格要求的应用场景。典型应用包括工业电源中的功率因数校正（PFC）电路、开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、不间断电源（UPS）以及电机驱动和逆变器系统。在汽车电子领域，其符合AEC-Q101标准的特点，也使其成为车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和电动助力转向（EPS）等系统中高压功率开关的理想选择。

• 型号:STW45N60DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:93 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW45N60DM2AG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于符合AEC-Q101标准的Automotive MDmesh DM2产品系列。该器件采用TO-247封装，核心额定参数为600V漏源电压和34A连续漏极电流，专为高压、大电流开关应用而设计。

其技术亮点在于实现了优异的性能平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为93毫欧，有效降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值低至56nC，这有助于提升开关速度并降低驱动功耗，从而优化系统整体效率。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在苛刻环境下的稳定运行。