STW47NM60ND

STW47NM60ND是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其面向汽车电子等高可靠性领域的FDmesh II技术产品系列。该器件采用先进的垂直扩散MOS（VDMOS）架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在TO-247通孔封装内实现了优异的电气性能与热性能平衡。其核心在于FDmesh II技术，该技术通过降低单元间距和优化内部结构，显著降低了导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_g），从而有效提升了功率转换效率并降低了开关损耗。

该MOSFET的突出特性体现在其600V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达35A的连续漏极电流（I_D）能力上，这使其能够承受较高的功率等级。其导通电阻在10V栅极驱动电压、17.5A漏极电流条件下典型值仅为88毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通损耗。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值控制在120nC（@10V），结合4200pF的输入电容（C_iss），意味着器件具有较快的开关速度，有利于高频应用并简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压（V_GS）耐受范围达±25V，提供了较强的抗干扰能力。该器件符合AEC-Q101标准，表明其设计通过了严格的汽车级可靠性认证，适合在严苛的环境下工作，其最高结温（T_J）为150°C，最大功耗为255W（壳温条件下）。

在应用层面，STW47NM60ND非常适合用于需要高效率和高可靠性的功率开关场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主逆变级、电机驱动与控制系统（如工业电机、风扇驱动）、不间断电源（UPS）以及高频DC-DC转换器。其汽车级（Automotive）资质使其成为车载充电器（OBC）、电动/混动汽车辅助电源等汽车电子应用的理想选择。尽管该产品目前已处于停产状态，对于现有设计的维护或特定批次的采购，用户仍可通过授权的ST代理渠道咨询库存或替代方案信息。

• 型号:STW47NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 35A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:255W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW47NM60ND是ST意法半导体基于FDmesh II技术开发的N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件核心优势在于其600V/35A的高压大电流处理能力，结合低至88mΩ的导通电阻，能够显著降低功率损耗，提升系统整体效率。

其技术参数针对高性能开关应用进行了优化，120nC的栅极电荷有助于实现快速开关，减少开关损耗，而±25V的宽栅极电压耐受范围增强了驱动电路的鲁棒性。作为符合AEC-Q101标准的汽车级产品，它具备高可靠性，适用于环境要求严苛的汽车电子及工业电源领域。