STW48N60M2

STW48N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡，这一核心架构使其在高压开关应用中能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电气性能。它具备600V的漏源击穿电压（Vdss），在25°C壳温条件下可支持高达42A的连续漏极电流。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、21A测试条件下典型值仅为70毫欧，确保了在导通状态下极低的功率耗散。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下被控制在70nC，这一低栅极电荷特性对于降低高频开关应用中的驱动损耗至关重要，有助于简化驱动电路设计并提升开关频率。此外，其最大栅源电压（Vgs）为±25V，提供了较宽的安全工作裕度。

在接口与热管理方面，STW48N60M2采用工业标准的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的安装工艺，便于散热器安装以实现高效的热传导。其最大结温（Tj）高达150°C，在壳温（Tc）条件下最大功率耗散可达300W，展现了强大的热承载能力，确保了器件在严苛环境下的长期可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借其高耐压、大电流能力和优异的开关性能，这款器件非常适用于对效率和功率密度有严格要求的高压功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主变换器、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器中的DC-AC或DC-DC功率级。其稳健的设计使其成为构建高效、紧凑型高压功率系统的理想选择。

• 型号:STW48N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 42A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW48N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装，属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）和42A的连续漏极电流能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（70mΩ @ 10V, 21A）与低栅极电荷（70nC @ 10V）的优化组合。这一特性直接转化为更低的传导损耗和开关损耗，显著提升系统效率，尤其适用于高频开关场景。同时，其150°C的最高结温和300W的功率耗散能力，确保了出色的热性能和运行可靠性。