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M24256-BWMN6P

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M24256-BWMN6P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24256-BWMN6P的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24256-BWMN6P是一款由意法半导体(STMicroelectronics)设计生产的高性能串行EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的浮栅技术非易失性存储单元,其核心架构基于一个32K x 8位的存储阵列,通过内部精密的电荷泵和灵敏放大器,实现了数据的可靠存储与高速读取。其设计确保了在电源关闭后数据仍能长期保持,典型数据保存期限超过100年,满足了关键参数存储对持久性的严苛要求。

该芯片的功能特点突出体现在其高速IC串行接口上,最高时钟频率可达1MHz,支持标准模式(100kHz)、快速模式(400kHz)和快速模式增强版(1MHz)三种速率,为系统提供了灵活的总线配置选择。其页写操作模式允许一次性连续写入多达64字节的数据,结合仅5ms的典型写周期时间,显著提升了批量数据存储的效率。此外,器件内置的写保护功能可通过硬件引脚或软件指令启用,有效防止对存储内容的意外或恶意篡改,增强了系统的安全性。

在电气接口与参数方面,M24256-BWMN6P展现出优异的兼容性与鲁棒性。其工作电压范围宽达2.5V至5.5V,使其能够无缝适配从低功耗微控制器到传统5V系统的多种供电环境。访问时间仅为450ns,确保了主控单元能够快速获取数据。该器件采用8引脚SOIC封装,支持表面贴装工艺,便于集成到高密度的PCB设计中。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C,保证了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ST代理商获取原装正品和技术支持。

凭借其高可靠性、灵活的接口和宽电压范围,M24256-BWMN6P非常适合应用于需要频繁读写或存储关键配置数据的场景。典型应用包括工业自动化系统中的参数与日志存储、智能电表的数据记录、汽车电子中的模块配置信息存储、医疗设备的校准数据保存,以及各类消费电子产品如电视机顶盒、打印机和物联网传感器节点的非易失性数据存储。其小巧的封装和低功耗特性也使其成为空间受限的便携式设备的理想选择。

  • 型号:M24256-BWMN6P
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:不适用于新设计
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:256Kb
  • 存储器组织:32K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M24256-BWMN6P的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24256-BWMN6P是意法半导体推出的一款256Kb容量串行EEPROM存储器,采用IC接口,最高通信速率达1MHz。该器件以32K x 8位的组织形式提供非易失性数据存储,确保数据在断电后长期保持。

其核心优势在于宽泛的2.5V至5.5V工作电压范围与-40°C至85°C的工业级工作温度,提供了出色的系统兼容性与环境适应性。5ms的快速写周期时间与高达64字节的页写能力,显著优化了数据写入效率。器件采用8-SOIC表面贴装封装,适用于高密度PCB设计。

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