STW50N65DM6

STW50N65DM6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶片上实现了超结（Super-Junction）特性，通过精心设计的电荷平衡技术，在保持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)）。其核心在于通过创新的单元结构和制造工艺，在650V的漏源电压（Vdss）等级下，达成了导通损耗与开关损耗之间的优异平衡，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的功能特性突出体现在其卓越的开关性能与稳健性上。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）高达33A，而导通电阻在10V驱动电压、16.5A电流下最大值仅为91毫欧，这直接转化为更低的传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为52.5nC，结合优化的内部栅极电阻，有助于实现快速开关并降低开关损耗，特别适合高频应用。器件具备±25V的宽栅源电压（Vgs）范围，增强了驱动电路的灵活性。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.75V，提供了良好的噪声抑制能力。高达250W（Tc）的功率耗散能力和-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了其在苛刻环境下的可靠运行。

在接口与关键参数方面，STW50N65DM6采用标准的TO-247-3通孔封装，便于安装和散热管理。其输入电容（Ciss）在100V漏源电压下最大为52500pF，是评估其开关速度与驱动需求的重要参数。用户可以通过正规的ST代理商获取该器件，以确保产品的原装正品与供货稳定。这些电气与物理参数的组合，定义了一款适用于高性能、高可靠性场景的功率开关器件。

得益于其高电压、大电流、低损耗的特性组合，该器件非常适合应用于要求严苛的功率电子领域。典型应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主功率变换级、服务器及数据中心电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电机驱动和焊接设备等。在这些应用中，它能够有效提升系统整体能效，减小散热器尺寸，并增强系统的功率密度与长期运行可靠性。

• 型号:STW50N65DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:91 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:52500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW50N65DM6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM6产品系列。该器件设计用于高效能的功率开关应用，其核心优势在于650V的漏源击穿电压（Vdss）与33A（Tc）的连续漏极电流能力，为处理高功率提供了基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的良好结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为91毫欧（@16.5A），这有助于最小化传导损耗。同时，52.5nC（@10V）的较低栅极电荷（Qg）有利于降低开关损耗，提升系统频率与效率。器件采用坚固的TO-247-3封装，支持高达250W（Tc）的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在工业环境下的高可靠性。