STW56NM60N

STW56NM60N是ST意法半导体基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款高压功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在保持高阻断电压能力的同时，显著改善了导通电阻与栅极电荷之间的权衡关系。这种架构使得器件内部电场分布更为均匀，有效降低了开关过程中的能量损耗，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的核心优势在于其卓越的动态性能与稳健性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在工业级AC-DC或电机驱动等应用中的高可靠性。在25°C壳温条件下，器件可连续通过高达45A的漏极电流，并具备300W的最大功率耗散能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、22.5A测试条件下典型值仅为60毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的导通损耗，提升了系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在150nC，结合±25V的宽栅源电压耐受范围，有助于简化驱动电路设计并实现快速开关，减少开关损耗。

在接口与参数层面，STW56NM60N采用经典的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热特性。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，具备一定的噪声免疫能力。输入电容（Ciss）最大值为4800pF，设计时需结合栅极驱动器的电流输出能力以优化开关速度。该器件结温（TJ）最高可工作至150°C，适应严苛的热环境。用户可通过官方授权的ST代理获取详细的技术资料与设计支持。

凭借其高电压、大电流和优异的开关特性，STW56NM60N非常适用于对效率和可靠性要求苛刻的离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、不间断电源（UPS）以及工业电机驱动和照明镇流器等应用场景。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备维护或特定设计中，它依然代表了MDmesh II系列在平衡性能与成本方面的经典解决方案。

• 型号:STW56NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 45A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW56NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-247封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和45A连续漏极电流，具备强大的功率处理能力。

其技术亮点在于优异的导通特性，导通电阻（Rds(on)）低至60毫欧（@10V， 22.5A），能有效降低导通损耗。同时，150nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，提升系统效率。该器件设计稳健，最高结温达150°C，适用于要求高可靠性的工业级电源与驱动应用。