STW5NK100Z

STW5NK100Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构旨在最大限度地降低导通损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。得益于这种设计，该MOSFET能够在高压环境下稳定工作，同时保持良好的动态性能。

该器件的一个显著特点是其高达1000V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为3.5A，结合最大仅3.7欧姆的导通电阻（Rds(on) @ 1.75A, 10V），确保了在导通期间具有较低的功率损耗。其栅极驱动设计较为友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，提供了充足的噪声裕度。此外，最大59nC的栅极电荷（Qg @ 10V）有助于降低驱动电路的负担，实现更快的开关速度，从而减少开关损耗。

在接口与参数方面，STW5NK100Z采用坚固耐用的TO-247-3通孔封装，这种封装具有良好的散热能力，其最大功率耗散为125W（Tc）。器件支持±30V的栅源电压，为驱动电路提供了灵活的设计空间。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应苛刻的环境温度要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品，确保原装正品和本地化服务。

凭借其高耐压、良好的导通与开关特性，STW5NK100Z非常适用于需要高压开关和高效电能转换的应用场景。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）和主开关电路、工业电机驱动和逆变器、UPS不同断电源系统以及照明电子镇流器。在这些应用中，它能够有效提升系统能效和可靠性，是工程师设计高压功率级时的可靠选择。

• 型号:STW5NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 欧姆 @ 1.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1154 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW5NK100Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件核心优势在于其1000V的高漏源电压（Vdss）和3.5A的连续漏极电流（Id）能力，结合优化的3.7欧姆导通电阻，为高压应用提供了优异的电气性能。

其设计注重效率与可靠性，最大栅极电荷（Qg）仅为59nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。器件采用TO-247-3通孔封装，最大功率耗散达125W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等高压功率转换应用的理想解决方案。