STW70N60M2

STW70N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高阻断电压与低导通损耗之间的卓越平衡，其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），从而提升了整体能效和开关性能。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达600V，确保了在高压应用中的可靠性与安全性。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）可达68A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻在典型工作条件下（Vgs=10V， Id=34A）最大仅为40毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热，对于提升系统效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在118nC（@10V），结合±25V的最大栅源电压容限，有助于设计简洁高效的驱动电路，并实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失。

在封装与接口方面，STW70N60M2采用工业标准的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散能力为450W（Tc）。该封装形式便于安装散热器，以满足高功率应用下的热管理需求。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的环境条件。输入电容（Ciss）等参数经过优化，有助于抑制高频开关下的振荡问题。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细信息、样品及采购服务。

凭借其高性能指标，这款器件非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路和DC-DC变换器、不间断电源（UPS）、电机驱动与变频器、电焊机以及太阳能逆变器等新能源设备。在这些领域中，STW70N60M2能够有效降低系统能耗，提升功率密度，并保障长期运行的稳定性。

• 型号:STW70N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 68A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):68A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 34A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:118 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW70N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-247封装，核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）与高达68A的连续漏极电流处理能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于极低的导通电阻（最大40mΩ @ 10V, 34A）与优化的栅极电荷（最大118nC @ 10V），这一组合显著降低了导通与开关损耗，从而提升了整体能效和开关速度。此外，器件支持高达450W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在 demanding 应用环境下的可靠性与鲁棒性。