STW72N60DM2AG

STW72N60DM2AG是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM2技术平台，面向汽车级应用开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247通孔封装，其核心设计旨在实现高耐压、大电流与低损耗之间的卓越平衡。其架构优化了单元密度与电荷平衡，使得在600V的高漏源电压（Vdss）下，依然能维持极低的导通电阻（Rds(on)），从而显著降低传导损耗，提升系统整体效率。

该芯片的突出特性在于其优异的动态与静态性能组合。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）高达66A，最大功率耗散能力达到446W，展现出强大的功率处理能力。其导通电阻在10V驱动电压、33A电流条件下最大值仅为42毫欧，这一低Rds(on)特性对于减少开关电源和电机驱动中的导通损耗至关重要。同时，栅极电荷（Qg）最大值控制在121nC（@10V），结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动设计，使得开关频率可以更高，系统功率密度得以提升。

在电气参数方面，STW72N60DM2AG具备宽泛的安全工作范围。其栅源电压（Vgs）最大可承受±25V，增强了驱动电路的鲁棒性。阈值电压Vgs(th)最大值为5V，提供了良好的噪声抑制能力。该器件的工作结温（TJ）范围覆盖-55°C至150°C，完全满足汽车电子AEC-Q101标准的严苛可靠性要求，确保在恶劣环境下稳定运行。对于需要高可靠性和高性能的汽车或工业电源设计，通过ST授权代理获取此器件是确保供应链可靠与技术支持到位的有效途径。

得益于其高耐压、高效率和高可靠性的特点，STW72N60DM2AG非常适用于对能效和空间要求苛刻的应用场景。其主要应用方向包括汽车领域的OBC（车载充电机）、DC-DC转换器、电机驱动（如EPS、水泵、油泵），以及工业领域的开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器和电焊机等。在这些应用中，它能够有效提升功率转换级的效率，减少散热需求，并凭借其汽车级品质保障整个系统在长生命周期内的可靠运行。

• 型号:STW72N60DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 66A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):66A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:121 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5508 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW72N60DM2AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247封装，基于先进的MDmesh DM2技术，实现了600V漏源电压（Vdss）与66A连续漏极电流（Id）的高功率规格，同时将导通电阻（Rds(on)）控制在42毫欧（@33A, 10V）的低水平。

其设计优化了开关性能，最大栅极电荷（Qg）为121nC，有助于降低开关损耗并支持更高频率的操作。最大功率耗散能力达446W，工作结温范围-55°C至150°C，确保了在汽车及工业等高要求应用中的高效能与高可靠性。这款MOSFET是提升电源转换和电机驱动系统效率与功率密度的关键组件。