STW88N65M5

STW88N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，在单颗芯片上实现了高耐压与低导通电阻的卓越平衡。其核心设计旨在降低开关损耗和传导损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。MDmesh V技术通过创新的单元结构和工艺优化，显著降低了栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），从而在硬开关和软开关拓扑中都能实现快速、干净的开关特性。

该器件具备650V的漏源击穿电压（Vdss），为工业级应用提供了充足的电压裕量，增强了系统在电压应力下的可靠性。在导通特性方面，其在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至29毫欧（@42A），这直接转化为更低的传导损耗和发热。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达84A，峰值电流处理能力强劲。同时，其栅极电荷（Qg）控制在204nC（@10V）的水平，结合优化的内部栅极电阻，有助于降低驱动损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与热管理方面，STW88N65M5采用工业标准的TO-247-3通孔封装，便于安装和散热。其最大结温（Tj）高达150°C，在配备适当散热器的情况下，最大功率耗散可达450W（Tc），确保了在严苛环境下的稳定运行。其栅源电压（Vgs）支持±25V的最大范围，提供了良好的抗干扰能力。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

凭借其高性能参数，该MOSFET非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中功率因数校正（PFC）和DC-DC转换级、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电机驱动等设备的理想选择。其快速开关能力和高耐压特性，使其在LLC谐振转换器等软开关拓扑中也能发挥出色性能，有助于工程师设计出更紧凑、更高效的下一代电力电子系统。

• 型号:STW88N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 84A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):84A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 42A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:204 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8825 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW88N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心优势在于其650V的漏源电压（Vdss）与极低的导通电阻（29mΩ @ 42A, 10V）的出色结合，这得益于先进的MDmesh V技术，有效优化了单位面积的导通性能。

其规格参数针对高效功率转换进行了深度优化。器件在壳温条件下可支持84A的连续漏极电流，最大结温达150°C，功率处理能力强劲。同时，204nC的栅极电荷（Qg @ 10V）有助于降低开关损耗，提升系统在高频工作下的效率。这些特性使其成为工业级电源、逆变器和电机驱动等应用中，追求高可靠性与高功率密度设计的优选功率开关解决方案。