STW8NB100

STW8NB100是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-247-3通孔封装，专为处理高压、大功率应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡，通过独特的网格状源极金属化布局，有效降低了寄生效应，从而在高达1000V的漏源电压（V_DSS）下实现了优异的电气性能和可靠性。

该器件在25°C壳温（T_C）下可支持7.3A的连续漏极电流，其导通电阻在10V栅极驱动电压、3.6A电流条件下典型值仅为1.45欧姆，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Q_g）典型值低至95nC @ 10V，结合2900pF的输入电容（C_iss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压（V_GS）耐受范围宽达±30V，提供了良好的抗干扰能力。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取相关产品信息与支持。

在电气参数方面，STW8NB100展现了出色的热管理能力，最大功率耗散可达190W（T_C），并且结温（T_J）最高可工作在150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。其阈值电压V_GS(th)最大值为5V @ 250A，提供了明确的导通门槛，增强了电路的抗误触发能力。这些特性使其成为需要高耐压和中等电流处理能力的功率转换拓扑中的理想选择。

得益于其高压、低损耗的特性，该MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）级、高压DC-DC转换器、电机驱动控制器以及工业照明（如HID灯电子镇流器）等领域。在这些场景中，器件的高耐压特性能够有效应对电网波动和感性负载关断时产生的电压尖峰，而其优化的开关特性有助于提升整体能效和功率密度。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标在相关应用的历史方案评估和现有设备维护中仍具有重要的参考价值。

• 型号:STW8NB100
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 7.3A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.45 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STW8NB100的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STW8NB100是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心优势在于其1000V的高漏源击穿电压（V_DSS）以及7.3A（T_C）的连续电流处理能力，专为高压功率应用设计。

其技术亮点包括较低的导通电阻（1.45Ω @ 10V, 3.6A）和栅极电荷（95nC @ 10V），这共同保障了较低的传导损耗与开关损耗，有助于提升系统效率。器件支持高达150°C的结温工作，最大功耗为190W（T_C），具备良好的热性能与可靠性，适用于要求严苛的工业环境。