STW9NK70Z

STW9NK70Z是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其标志性的SuperMESH产品系列。该器件采用先进的垂直沟道架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了优异的电气特性平衡。其核心设计目标是在高耐压条件下，显著降低导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），从而有效提升功率转换效率并降低开关损耗，这对于开关电源等高频应用至关重要。

该器件具备700V的漏源击穿电压（Vdss），提供了坚固的电压裕量，能够有效应对工业环境中常见的电压尖峰和浪涌。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为7.5A，结合仅1.2欧姆（在4A，10V条件下）的最大导通电阻，确保了在导通状态下具有较低的功率耗散。其栅极驱动特性经过优化，最大栅源阈值电压（Vgs(th)）为4.5V，标准驱动电压为10V，最大栅极电荷（Qg）控制在68nC（@10V），这有助于简化驱动电路设计，并实现快速、干净的开关切换，减少开关过程中的振荡现象。

在接口与参数方面，STW9NK70Z采用经典的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其最大结温（Tj）范围为-55°C至150°C，在壳温条件下最大功率耗散可达156W。其输入电容（Ciss）最大值为1370pF，栅源电压（Vgs）可承受±30V的最大值，增强了器件的耐用性和抗干扰能力。用户在选择和使用时，可通过正规的ST芯片代理获取完整的技术资料和支持，以确保设计的可靠性与合规性。需要注意的是，该器件目前已处于停产状态，在新设计中建议评估其后续替代型号。

凭借其高耐压、低导通损耗和良好的开关性能，这款MOSFET非常适用于要求苛刻的功率电子应用场景。典型应用包括离线式开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器的逆变桥臂以及工业照明镇流器等。在这些应用中，它能够帮助系统实现更高的能效等级和更紧凑的尺寸设计，是工程师构建高效、可靠功率系统的经典选择之一。

• 型号:STW9NK70Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 7.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:156W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW9NK70Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3通孔封装。其核心电气参数包括700V的漏源电压（Vdss）和7.5A的连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其优化的动态性能，最大导通电阻（Rds(on)）仅为1.2欧姆 @ 4A, 10V，同时最大栅极电荷（Qg）控制在68nC @ 10V。这种低Rds(on)与低Qg的组合，有效平衡了导通损耗与开关损耗，有助于提升系统的整体效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为156W（Tc），确保了在严苛环境下的稳定运行。