STWA20N95K5

STWA20N95K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-247通孔封装，专为应对高电压、高效率的功率转换挑战而设计。其核心架构通过优化的单元设计和先进的沟槽工艺，在确保高达950V漏源击穿电压（Vdss）的同时，显著改善了导通电阻与栅极电荷之间的关键权衡关系，这一特性对于提升开关电源的整体效率至关重要。

在功能特性方面，该MOSFET展现了卓越的性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、9A电流条件下典型值仅为330毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗被控制在极低水平。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为40nC，结合1500pF的输入电容（Ciss），使得开关过程中的驱动损耗和开关速度得到优化，有利于实现更高频率的开关操作并简化驱动电路设计。器件支持高达±30V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全余量，其结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

从接口与电气参数来看，STWA20N95K5在25°C壳温条件下可连续通过17.5A的漏极电流，最大功率耗散能力达到250W，展现了强大的功率处理能力。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V，具备良好的噪声免疫能力。这些参数共同定义了一款适用于高压、大电流场景的稳健功率开关。对于需要确保元器件来源可靠和获得完整技术支持的设计项目，通过正规的ST授权代理进行采购是推荐的选择。

基于其高耐压、低导通损耗和快速开关特性，该器件非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、UPS（不间断电源）系统、太阳能逆变器以及电机驱动和照明镇流器等。在这些应用中，它能够有效降低系统能耗，提升功率密度，并凭借其宽温度工作范围保障长期运行的稳定性。

• 型号:STWA20N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
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STWA20N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-247封装，核心特性包括高达950V的漏源电压（Vdss）和17.5A的连续漏极电流处理能力，专为高压功率转换应用设计。

其技术优势在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至330毫欧，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg max: 40nC）确保了快速的开关切换，有助于提升系统效率与工作频率。这些特性使其成为工业电源、新能源逆变及电机驱动等高效能、高可靠性应用的理想功率开关解决方案。