STWA45N65M5

STWA45N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在保持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。其核心架构旨在实现低开关损耗与高能效的平衡，这对于高频开关电源应用至关重要。内部集成的快速体二极管进一步提升了其在硬开关和软开关拓扑中的反向恢复性能，有助于减少电磁干扰（EMI）并提高系统可靠性。

该MOSFET的突出特性在于其优异的电气参数组合。它具备650V的漏源击穿电压（V_DSS），为离线式电源提供了充足的电压裕量，增强了系统在电网波动或感性负载下的鲁棒性。在25°C壳温（T_C）下，其连续漏极电流（I_D）额定值为35A，而导通电阻在10V栅极驱动电压（V_GS）和17.5A电流条件下，典型值远低于78毫欧的最大值，这直接转化为更低的导通损耗和发热。同时，其栅极总电荷（Q_g）最大值仅为82nC @ 10V，结合3470pF @ 100V的输入电容（C_iss），意味着栅极驱动需求较低，能够实现快速、高效的开关转换，从而降低驱动电路的复杂性和功率损耗。

在接口与参数方面，STWA45N65M5采用工业标准的TO-247通孔封装，便于散热器安装和功率耗散管理，其最大功率耗散能力为210W（T_C）。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为5V @ 250A，确保了良好的噪声免疫能力，而±25V的最大栅源电压（V_GS）则为栅极驱动设计提供了灵活性。器件结温（T_J）最高可工作至150°C，展现了其宽泛的工作温度范围和坚固性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高性能规格，STWA45N65M5非常适合应用于对效率和功率密度要求严苛的场景。典型应用包括服务器和电信设备的高效率开关电源（SMPS），尤其是功率因数校正（PFC）和DC-DC转换级。它也适用于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电焊机等大功率设备中的高频逆变和开关电路。其低导通电阻和快速开关特性使其成为追求高能效和紧凑型设计的工程师的理想选择。

• 型号:STWA45N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:78 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:82 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3470 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
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STWA45N65M5是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-247封装，核心优势在于其650V的漏源电压（V_DSS）与35A的连续漏极电流（I_D）能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的优异平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值远低于78毫欧，有效降低了导通损耗。同时，低至82nC的栅极电荷（Q_g）确保了开关过程的高效与迅速，有助于提升系统整体能效并简化驱动设计。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和能源转换系统中功率开关级的可靠解决方案。