STL70N10F3

作为ST意法半导体STripFET III系列中的一员，STL70N10F3是一款采用先进沟槽栅工艺制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。这种设计显著降低了传导损耗和开关损耗，提升了功率转换效率，是应对高功率密度应用挑战的关键。该器件采用表面贴装型PowerFlat（5x6）封装，这种紧凑的封装形式不仅优化了热性能，也为空间受限的设计提供了高功率处理能力的解决方案。

该器件在100V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够在壳温（Tc）条件下提供高达82A的连续漏极电流，展现出强大的电流处理能力。其最突出的特性之一是在10V驱动电压、8A测试电流下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为8.4毫欧。如此低的导通电阻直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为56nC，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了稳健的驱动安全裕度。

在接口与参数方面，该MOSFET的阈值电压（Vgs(th)）最大为4V @ 250A，确保了良好的噪声免疫能力。其输入电容（Ciss）在25V下最大为3210pF，是评估开关动态特性的重要参数。器件的最大功率耗散为136W（Tc），结合其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C），使其能够在苛刻的热环境中稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取相关技术支持和库存信息。

凭借高电压、大电流、低损耗和优异的散热封装，STL70N10F3非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。其主要应用领域包括工业电源中的同步整流和DC-DC转换模块、电机驱动与控制电路、以及各类需要高效功率开关的汽车电子系统和通信基础设施设备。其设计旨在帮助工程师实现更紧凑、更高效、更可靠的电源管理解决方案。

• 型号:STL70N10F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):82A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.4 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3210 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL70N10F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，在100V的漏源电压（Vdss）额定下，可支持高达82A（Tc）的连续漏极电流，并实现了极低的导通电阻，典型值在8.4毫欧（@10V， 8A），有效降低了传导损耗。

其采用紧凑的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，在提供136W（Tc）强大功率处理能力的同时，优化了散热性能和PCB空间占用。器件具备较低的栅极电荷（Qg最大56nC @10V），有利于实现高速开关并降低驱动损耗，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。