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STPS1L30M

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A STMITE
原厂封装:封装:STmite(DO-216AA)
优势价格,STPS1L30M的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STPS1L30M的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STPS1L30M是ST意法半导体推出的一款采用表面贴装封装的高性能肖特基势垒整流二极管。该器件基于优化的金属-半导体结工艺,其核心架构旨在实现极低的正向压降与快速的开关特性。与传统的PN结整流器相比,肖特基二极管利用多数载流子导电机制,从根本上消除了少数载流子的存储效应,从而在反向恢复性能上具有先天优势,使其特别适用于高频开关应用。

该二极管的功能特点突出体现在其高效率与低功耗上。在1A的额定平均整流电流下,其典型正向压降仅为390mV,这一数值显著低于同规格的普通硅整流二极管,意味着在相同工作条件下能有效降低导通损耗,提升系统整体能效。同时,其快速恢复特性(恢复时间小于500ns)确保了在开关电源、DC-DC转换器等高频电路中,能够迅速完成状态切换,有效抑制由反向恢复电流引起的电压尖峰和开关噪声,提升电路的稳定性和可靠性。

在电气参数方面,STPS1L30M具备30V的最大直流反向电压和1A的平均整流电流能力,反向漏电流在30V反向电压下典型值为390A,平衡了阻断能力与静态功耗。其采用紧凑的DO-216AA(STMite)表面贴装封装,不仅节省了PCB空间,也优化了热性能,便于在自动化生产线上进行高密度贴装。对于需要可靠元器件供应的客户,可以通过官方授权的ST代理渠道获取原装正品和技术支持。

基于上述特性,该器件非常适合作为低压、高效率电源设计中的输出整流、续流或反向极性保护元件。其典型应用场景包括便携式设备的电源管理模块、计算机主板上的DC-DC降压电路、汽车电子中的辅助电源系统以及各类消费类电子产品的充电管理单元。在这些场景中,其低正向压降有助于延长电池续航,快速开关速度则能适应现代开关电源日益提升的工作频率,是追求高功率密度和高效能设计的工程师的理想选择。

  • 型号:STPS1L30M
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:STmite(DO-216AA)
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A STMITE
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):390 mV @ 1 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:390 A @ 30 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:DO-216AA
  • 供应商器件封装:STmite(DO-216AA)
  • 工作温度 - 结:150°C(最大)
  • 想获取STPS1L30M的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STPS1L30M是ST意法半导体生产的一款表面贴装肖特基整流二极管,采用DO-216AA(STMite)封装。其核心电气参数针对高效率应用进行了优化,在1A的额定电流下,正向压降典型值低至390mV,能显著降低导通损耗。

该器件具备30V的最大反向电压和快速恢复特性(<500ns),确保了在高频开关电路中的优异性能。其紧凑的封装和良好的热特性,使其成为便携式设备、DC-DC转换器及电源管理电路中实现高效整流和续流功能的可靠解决方案。

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