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STWA67N60DM6
的报价和技术资料 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商 |
STWA67N60DM6
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
DISCRETE
原厂封装:
封装:TO-247 长引线
优势价格,STWA67N60DM6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STWA67N60DM6的技术资料下载
STWA67N60DM6的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
型号:STWA67N60DM6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247 长引线
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:DISCRETE
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):58A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):54 毫欧 @ 23.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.75V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):72.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3400 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):431W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247 长引线
封装/外壳:TO-247-3
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