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STX13005G-AP的图片

STX13005G-AP

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 400V 3A TO-92AP
原厂封装:封装:TO-92AP
优势价格,STX13005G-AP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STX13005G-AP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STX13005G-AP是ST意法半导体推出的一款高压NPN双极性晶体管(BJT),采用经典的TO-92AP通孔封装。该器件设计用于处理高达400V的集电极-发射极电压和3A的连续集电极电流,其核心架构基于成熟的高压半导体工艺,能够在高电压、大电流条件下提供稳定的开关与放大功能。其内部结构优化了载流子传输路径,旨在降低饱和压降并提升功率处理能力,使其成为离线式电源和高压控制应用的可靠选择。

该晶体管具备多项关键电气特性。其集电极-发射极击穿电压(VCEO)高达400V,使其能够轻松应对市电整流后的高压环境。在3A的集电极电流下,其最大饱和压降(VCE(sat))为5V(测试条件为IB=750mA),这意味着在导通状态下具有较低的功率损耗,有助于提升整体系统效率。其直流电流增益(hFE)在2A、5V条件下最小值为8,表明其驱动能力较强,适合用于需要一定电流放大能力的开关电路。最大结温(TJ)为150°C,配合2.8W的最大功耗,提供了宽裕的热设计余量。

在接口与参数方面,STX13005G-AP采用标准的三引脚TO-92AP封装,便于在通孔印刷电路板(PCB)上进行安装和焊接。其引脚排列符合行业惯例,方便工程师进行电路布局。除了上述的高压、大电流能力,其集电极截止电流最大为1mA,有助于降低关断状态下的功耗。对于需要可靠元器件供应的项目,可以通过官方授权的ST代理渠道获取技术支持和库存信息。需要注意的是,该产品目前已处于停产状态,在新设计中选择时需评估替代方案和长期供货情况。

得益于其高压和高电流特性,STX13005G-AP非常适用于各类离线式开关电源(SMPS)的功率开关级,例如电磁炉、LED驱动电源和适配器的初级侧电路。它也常被用于电子镇流器、电机控制、继电器驱动以及CRT显示器的行输出等需要高压开关或线性放大的场景。其坚固的TO-92封装和宽工作温度范围,也使其能够适应对可靠性和环境适应性有一定要求的工业控制应用。

  • 型号:STX13005G-AP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-92AP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 400V 3A TO-92AP
  • 系列:-
  • 包装:带盒(TB)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):400 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):5V @ 750mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):1mA
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):8 @ 2A,5V
  • 功率 - 最大值:2.8 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
  • 供应商器件封装:TO-92AP
  • 想获取STX13005G-AP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STX13005G-AP是STMicroelectronics生产的一款高压、大电流NPN双极性晶体管。其核心电气参数包括400V的集电极-发射极击穿电压和3A的连续集电极电流处理能力,使其能够胜任高压环境下的功率开关任务。

该器件在3A电流下的最大饱和压降为5V,有助于减少导通损耗。其采用标准的TO-92AP通孔封装,最大功耗为2.8W,最高结温可达150°C,提供了良好的功率处理能力和热可靠性,适用于要求严苛的电源和控制系统。

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