STY100NS20FD

STY100NS20FD是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MESH OVERLAY技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用MAX247通孔封装，专为高功率密度和高效率应用而设计，其核心架构通过优化的单元布局和沟槽栅极技术，在保证高阻断电压的同时，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而实现了优异的开关性能与热管理能力。

该MOSFET的额定漏源电压（Vdss）为200V，在壳温（Tc）条件下可支持高达100A的连续漏极电流，展现出强大的电流处理能力。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压和50A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为24毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在360nC @ 10V，配合±20V的最大栅源电压容限，有助于设计简洁高效的栅极驱动电路，并减少开关过程中的损耗。功率耗散能力高达450W（Tc），结合150°C的最高结温（TJ），确保了器件在严苛环境下的可靠运行。

在电气参数方面，STY100NS20FD的阈值电压Vgs(th)最大值为4V @ 250A，提供了良好的噪声抑制能力。输入电容（Ciss）最大值为7900pF @ 25V，这些参数共同定义了其开关动态特性，工程师需要根据这些参数精细设计驱动回路。对于需要获取该器件技术资料或样品的开发者，可以咨询专业的ST代理商以获取详细的支持。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能记录，使其在特定的升级或维护项目中仍具参考价值。

得益于其高电压、大电流和低损耗的特性，这款MOSFET非常适用于要求苛刻的工业级电源转换领域。典型的应用场景包括大功率开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制器中的H桥或三相逆变器拓扑、以及不同断电源（UPS）和焊接设备中的功率开关模块。在这些应用中，它能够有效提升系统整体的能效比和功率密度。

• 型号:STY100NS20FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 100A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:360 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
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STY100NS20FD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于MESH OVERLAY产品系列，采用MAX247通孔封装。该器件设计用于高功率应用，其核心优势在于200V的漏源电压（Vdss）和高达100A（Tc）的连续漏极电流处理能力。

其技术亮点集中体现在优异的导通性能与开关特性上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为24毫欧 @ 50A，这能显著降低导通损耗。同时，栅极电荷（Qg）最大值被控制在360nC @ 10V，有利于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升整体系统效率。器件支持高达450W（Tc）的功率耗散，工作结温可达150°C，确保了在高负荷下的稳定性和可靠性。