STP4N150

STP4N150是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款高压N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压、低导通电阻与快速开关特性的良好平衡。其核心设计旨在有效管理高电压应用中的电场分布，从而确保在高达1500V的漏源电压（Vdss）下仍能保持稳定的阻断能力，这使其成为处理严苛电压应力的可靠选择。

该器件的一个显著特点是其出色的导通电阻（Rds(on)）性能，在10V驱动电压、2A漏极电流条件下，典型值仅为7欧姆。较低的导通损耗直接转化为更高的系统效率和更少的热量产生。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为50nC，结合1300pF的输入电容（Ciss），意味着器件所需的驱动能量较低，能够实现快速的开关转换，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压（Vgs）耐受范围达到±30V，提供了较强的抗干扰能力。

在电气参数方面，STP4N150在壳温（Tc）条件下支持4A的连续漏极电流，最大功率耗散能力为160W。其导通阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了在通常的驱动电压下能够可靠开启。该器件采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的散热安装方案，其结温（Tj）最高可工作至150°C，展现了宽泛的工作温度范围和鲁棒性。对于需要本地技术支持与供货保障的设计项目，可以联系ST中国代理获取详细的产品资料与支持。

凭借其高压、高效和快速开关的特性，STP4N150非常适用于需要处理高直流母线电压或高交流电压的功率转换场景。典型应用包括工业开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和高压DC-DC变换器、UPS（不间断电源）系统、电机驱动和照明镇流器的功率开关部分。在这些应用中，器件需要承受高电压应力并实现高效的电能转换，其性能参数能够很好地满足相关设计需求。

• 型号:STP4N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP4N150是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格包括1500V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温条件下4A的连续漏极电流（Id）处理能力。

其技术优势体现在较低的导通损耗与快速的开关性能上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为7欧姆，同时栅极电荷（Qg）最大值控制在50nC，这有助于提升系统效率并降低驱动需求。该器件最大功率耗散为160W，最高工作结温达150°C，适用于要求高耐压与可靠性的工业级功率电子应用。