STY130NF20D

STY130NF20D是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔式MAX247封装，专为高功率密度和高效能应用而设计。其核心架构通过优化的单元布局和先进的沟槽栅极工艺，在保证高耐压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻，实现了优异的电气性能与热性能的平衡。

该MOSFET具备200V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下高达130A的连续漏极电流（Id）能力，展现出强大的功率处理潜能。其关键优势在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动电压、65A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为12毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值为338nC，结合±20V的栅源电压耐受范围，有助于设计简洁高效的栅极驱动电路，在开关速度与驱动损耗之间取得良好折衷。

在接口与参数方面，器件提供了宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温），并标称了高达450W（Tc）的功率耗散能力，这要求在实际应用中必须配合有效的散热方案。其输入电容（Ciss）为11100pF，是评估开关动态特性的重要参数。尽管该产品目前已处于停产状态，但通过正规的ST代理商渠道，仍可能获取库存或替代方案信息，这对于维护既有系统或进行特定设计选型至关重要。

凭借其高电流、低导通电阻及良好的开关特性，STY130NF20D非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的工业级应用场景。典型应用包括大功率开关电源（如服务器电源、通信电源）的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动与控制系统中的H桥或三相逆变器功率级、以及不间断电源（UPS）和电焊机等设备中的功率转换模块。在这些领域中，它能够有效降低系统热耗散，提升整体可靠性与能效比。

• 型号:STY130NF20D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 130A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 65A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:338 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
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STY130NF20D是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用MAX247通孔封装，核心电气参数突出，具备200V的漏源电压（Vdss）和高达130A（Tc）的连续漏极电流处理能力，适用于高功率应用环境。

其核心优势在于极低的导通损耗，在10V Vgs、65A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为12毫欧，这能显著降低功率转换过程中的传导损耗。同时，338nC的最大栅极电荷（Qg）和宽泛的栅源电压范围（±20V）为设计高效率的开关驱动电路提供了便利。器件标称功率耗散为450W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛工况下的稳定运行潜力。