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T2535T-8I

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC 800V 25A TO220AB
原厂封装:封装:TO-220AB 绝缘
优势价格,T2535T-8I的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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T2535T-8I的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

T2535T-8I是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的T-SERIES系列中的一款高性能标准双向可控硅(TRIAC)。该器件采用成熟的平面钝化技术,构建于稳健的硅结构之上,其核心设计旨在实现高阻断电压与低触发电流的平衡,确保在交流负载控制应用中具备卓越的可靠性与鲁棒性。其内部结构经过优化,能够有效抑制电压变化率(dv/dt)和电流变化率(di/dt),从而在复杂的电磁环境中保持稳定工作,减少因误触发或闩锁效应导致的失效风险。

该器件的关键特性在于其高达800V的断态重复峰值电压(VDRM,这使其能够从容应对电网中的浪涌和尖峰电压,为电机、加热器等感性或阻性负载提供坚固的保护屏障。同时,其25A的额定通态有效电流(IT(RMS)确保了强大的负载驱动能力。其触发特性尤为突出,最大栅极触发电压(VGT)仅为1V,最大栅极触发电流(IGT)为35mA,这意味着它可以直接由微控制器或逻辑电平信号轻松驱动,极大地简化了外围驱动电路的设计,降低了系统成本。此外,其非重复浪涌电流(ITSM)在50Hz和60Hz下分别达到200A和210A,展现了出色的抗瞬时过载能力。

在接口与参数方面,T2535T-8I采用标准的TO-220-3通孔封装,便于安装和散热。其工作结温范围宽达-40°C至150°C,适应严苛的工业环境。其保持电流(IH)同样为35mA,确保了在触发后能够可靠维持导通状态,直至电流自然过零关断。这些参数共同定义了一款适用于要求严苛的功率控制场景的半导体开关。

凭借其高电压、大电流和易驱动的特性,该器件非常适合应用于工业级交流负载控制领域。典型应用包括工业加热控制系统、交流电机调速与启停控制、固态继电器(SSR)、照明调光器以及大功率电源切换等。对于需要可靠、高效交流开关解决方案的设计工程师而言,通过正规的ST代理渠道获取此型号,能够确保获得原装正品和全面的技术支持,是构建耐用工业控制系统的可靠选择。

  • 型号:T2535T-8I
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220AB 绝缘
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC 800V 25A TO220AB
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:标准
  • 电压 - 断态:800 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):25 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):200A,210A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):35 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):35 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220AB 绝缘
  • 想获取T2535T-8I的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

T2535T-8I是ST意法半导体推出的一款标准双向可控硅,属于其T-SERIES系列。该器件核心优势在于其800V的高断态电压25A的通态电流能力,为交流功率控制提供了坚固的电气基础。

其设计注重易用性与鲁棒性,具备极低的栅极触发要求(VGT ≤ 1V, IGT ≤ 35mA),可直接兼容微控制器接口,简化驱动电路。同时,其宽工作结温范围(-40°C ~ 150°C)和强大的浪涌电流承受能力(ITSM 达210A),确保了在工业环境下的高可靠性和长寿命。

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