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T835-600G-TR

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 8A D2PAK
原厂封装:封装:D2PAK
优势价格,T835-600G-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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T835-600G-TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

T835-600G-TR是ST意法半导体推出的一款高性能三端双向可控硅开关元件(TRIAC),采用先进的ALTERNISTOR技术,专为要求严苛的交流负载控制应用而设计。该器件采用DPak(TO-263AB)表面贴装封装,在紧凑的占位面积内实现了优异的功率处理能力和散热性能,其结温工作范围覆盖-40°C至125°C,确保了在宽泛环境条件下的稳定性和可靠性。

该器件属于无缓冲器型双向可控硅,其核心优势在于高达600V的断态重复峰值电压(VDRM)和8A的RMS通态电流能力,这使其能够从容应对工业及消费类应用中常见的电压波动和浪涌冲击。其栅极触发特性经过优化,最大触发电压(Vgt)仅为1.3V,最大触发电流(Igt)为35mA,这意味着它可以直接由微控制器或逻辑电平信号高效驱动,简化了外围驱动电路的设计。高达80A(50Hz)和84A(60Hz)的非重复浪涌电流承受能力,为电机启动、白炽灯冷态接入等瞬间大电流场景提供了坚固的保障,有效提升了系统的鲁棒性。

在接口与参数方面,T835-600G-TR采用标准的三端单路配置。其保持电流(Ih)最大值同样为35mA,确保了在触发后能够稳定导通,直至负载电流自然过零关断,这一特性对于维持交流相位控制的精确性至关重要。DPak封装不仅提供了良好的机械强度,其金属背板更便于安装散热器,以应对持续大电流工作下的热管理需求。对于需要可靠元器件供应的设计项目,可以通过授权的ST代理商获取该产品,以确保货源的正规性和技术支持。

凭借其稳健的电气规格和坚固的封装,该器件非常适合用于各类中功率交流负载的相位控制或开关控制。典型应用场景包括工业自动化设备中的交流电机调速与启停控制、家用电器(如调光器、风扇调速器、加热控制器)中的功率调节模块,以及固态继电器和接触器。其表面贴装形式也顺应了现代电子设备向高密度、自动化生产发展的趋势,是工程师设计紧凑、高效、可靠交流功率控制方案的优选元件。

  • 型号:T835-600G-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 8A D2PAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:600 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A,84A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):35 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):35 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
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T835-600G-TR是ST意法半导体生产的一款表面贴装型三端双向可控硅,属于其ALTERNISTOR系列。该器件设计用于中高功率交流开关应用,核心参数包括600V的断态电压和8A的RMS通态电流,提供了坚固的电压阻断和电流承载能力。

其优化的触发特性(Vgt最大1.3V,Igt最大35mA)便于直接由低压逻辑电路驱动,而高达80A/84A的浪涌电流承受能力则确保了其在负载突变时的可靠性。采用TO-263AB(DPak)封装,支持-40°C至125°C的结温工作范围,适用于要求高功率密度和良好热管理的工业及消费类电子设计。

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