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T835T-8G的图片

T835T-8G

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNISTOR 800V 8A D2PAK
原厂封装:封装:D2PAK
优势价格,T835T-8G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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T835T-8G的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

T835T-8G是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能三端双向可控硅(TRIAC)器件,属于其晶闸管产品线中的有源型号。该器件采用无缓冲器设计,核心架构基于先进的半导体工艺,实现了高电压阻断能力和稳定的电流导通特性。其内部结构优化了载流子迁移路径,确保了在交流负载切换过程中具有快速响应和低损耗的性能表现,结温工作范围宽达-40°C至125°C,适用于严苛的环境条件。

在功能特性上,该器件展现了卓越的电气性能。其断态电压高达800V,为工业级应用提供了充足的电压裕量,有效抑制了电压瞬变带来的风险。通态有效电流(It(RMS))最大值为8A,能够驱动中等功率的交流负载。其栅极触发特性尤为突出,最大触发电压(Vgt)仅为1.3V,最大触发电流(Igt)为35mA,这意味着它能够被微控制器或逻辑电平信号轻松、高效地驱动,简化了外围驱动电路的设计。同时,其保持电流(Ih)最大值为40mA,确保了触发后的稳定导通,而高达60A/63A的非重复浪涌电流承受能力,则赋予了其出色的抗冲击和过载保护能力。

该器件采用表面贴装型封装,具体为TO-263-3(DPak),这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,便于自动化生产焊接。其配置为单路,接口简洁,主要包含主端子T1、T2和栅极G,便于在标准交流相位控制电路中集成。对于需要可靠供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。凭借其高电压、易驱动、强抗浪涌以及宽温工作的综合参数优势,T835T-8G非常适合应用于需要精确相位控制或固态继电功能的场合。

在应用场景方面,T835T-8G主要面向工业控制、消费电子和家用电器领域。它常被用于交流电机调速控制、照明调光系统、加热器功率调节以及各类交流电源开关电路中。其稳健的性能使其成为替代机械式继电器、实现无声、无火花、长寿命的固态开关解决方案的理想选择,尤其在对可靠性、体积和能效有较高要求的现代电子设备设计中占据重要地位。

  • 型号:T835T-8G
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNISTOR 800V 8A D2PAK
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:800 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):60A,63A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):35 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):40 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
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T835T-8G是ST意法半导体生产的一款有源、表面贴装型三端双向可控硅(TRIAC)。该器件核心卖点在于其800V的高断态电压8A的通态有效电流能力,为交流负载控制提供了坚实的电压与电流基础。

其设计注重驱动便捷性与鲁棒性,最大栅极触发电压低至1.3V,触发电流仅为35mA,可直接兼容微控制器接口,简化了驱动电路。同时,器件具备高达60A/63A的浪涌电流承受能力和-40°C至125°C的宽结温工作范围,确保了在恶劣电气环境及温度条件下的稳定、可靠运行。

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