TD351IDT

TD351IDT是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能单通道高端栅极驱动器，采用紧凑的8-SOIC封装，专为驱动N沟道功率MOSFET或IGBT而优化设计。其核心架构基于一个非反相输入逻辑，通过内部电平移位和自举电路，能够高效地将来自低压控制器的逻辑信号转换为驱动高压侧功率开关所需的栅极电压。该器件集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，确保在供电电压不足时可靠关断，防止功率器件工作在不安全区域，从而提升了系统的整体可靠性。

在功能特点上，该驱动器具备出色的驱动能力，其峰值拉电流和灌电流分别达到1.7A和1.3A，结合典型值仅为100纳秒的快速上升与下降时间，能够实现对功率开关管的快速、强有力驱动，有效减少开关损耗并提升系统效率。宽范围的工作电压（12V至26V）使其能灵活适配多种电源轨，而其逻辑输入阈值（VIL=0.8V， VIH=4.2V）则确保了与3.3V或5V逻辑电平微控制器的良好兼容性。此外，其高达150°C的结温工作范围，使其能够在工业级和汽车级应用的苛刻环境中稳定运行。

在接口与电气参数方面，TD351IDT采用单路高端驱动配置，输入类型为非反相，简化了控制逻辑。其表面贴装型的封装形式（8-SOIC）便于自动化生产，卷带（TR）或剪切带（CT）的包装选项也为不同规模的生产需求提供了便利。这些特性共同构成了一个坚固、高效的驱动解决方案。对于需要可靠技术支持与稳定供货的中国市场用户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

基于其高性能与高可靠性，TD351IDT非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。典型应用包括开关电源（SMPS）中的同步整流、DC-DC转换器的高压侧开关驱动、电机驱动电路中的高边驱动，以及工业逆变器和UPS（不间断电源）系统。在这些应用中，它能够确保功率开关管在最佳状态下工作，是实现高效、紧凑型电源与功率转换设计的关键组件。

• 型号:TD351IDT
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:单路
• 驱动器数:1
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:12V ~ 26V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，4.2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.3A，1.7A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns（最大）
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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TD351IDT是ST意法半导体生产的一款单通道高端栅极驱动器IC，属于电源管理IC产品线。该器件设计用于高效驱动N沟道MOSFET或IGBT，其12V至26V的宽供电电压范围提供了设计灵活性，而1.7A拉电流和1.3A灌电流的峰值输出能力确保了功率开关的快速、强有力切换。

该驱动器具备非反相逻辑输入，与常见微控制器电平兼容，并支持高达150°C的结温工作，适用于严苛环境。其采用8-SOIC表面贴装封装，提供卷带或剪切带包装，便于自动化生产集成，是紧凑型、高效率电源转换和电机驱动应用的理想选择。