TN1205H-6G

ST意法半导体推出的TN1205H-6G是一款采用标准恢复型设计的单向可控硅（SCR），其核心架构基于成熟的平面钝化工艺，确保了在高压、大电流工作条件下的长期可靠性与稳定性。该器件采用表面贴装型DPAK封装，这种封装形式不仅提供了优异的散热性能，便于集成到高功率密度的PCB设计中，其坚固的机械结构也使其能够承受严苛的应用环境。

该芯片在电气性能上表现出色，其断态重复峰值电压高达600V，能够有效抵御工业电网中的电压波动和瞬态冲击。其通态电流处理能力突出，RMS值最大可达12A，平均通态电流为7.6A，同时通态压降（Vtm）最大值仅为1.6V，这意味着在导通期间能够实现较低的功率损耗，提升整体系统效率。其栅极触发特性非常灵敏，最大触发电压（Vgt）为1.3V，最大触发电流（Igt）仅为5mA，这使得它能够被微控制器或低功耗逻辑电路轻松驱动，简化了外围驱动电路的设计。此外，其非重复浪涌电流承受能力强劲，在50Hz和60Hz工频下分别可达120A和126A，为应对启动或故障时的瞬时过流提供了充足的裕量。

在接口与参数方面，TN1205H-6G提供了宽泛的工作温度范围（-40°C至150°C），使其适用于从寒冷室外到高温机箱内的各种环境。其断态漏电流极低，最大值仅为5A，有助于降低待机功耗。标准的恢复特性使其适用于工频及中低频开关应用。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、大电流、低导通损耗及灵敏的触发特性，该器件非常适合应用于交流电机控制、固态继电器、工业照明调光器、电磁炉及空调等家电的功率控制模块，以及不间断电源（UPS）和电池充电管理系统中的交流开关环节。其表面贴装封装也顺应了现代电子设备向小型化、自动化生产发展的趋势。

• 型号:TN1205H-6G
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > SCR
• 描述:SCR 600V 12A D2PAK
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 电压 - 断态:600 V
• 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）:1.3 V
• 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）:5 mA
• 电压 - 通态 (Vtm)（最大值）:1.6 V
• 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）:7.6 A
• 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）:12 A
• 电流 - 保持 (Ih)（最大值）:20 mA
• 电流 - 断态（最大值）:5 A
• 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):120A，126A
• SCR 类型:标准恢复型
• 工作温度:-40°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
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TN1205H-6G是ST意法半导体生产的一款高性能标准恢复型单向可控硅（SCR），采用表面贴装DPAK封装。其核心优势在于高达600V的断态电压和12A（RMS）的通态电流处理能力，结合最大仅1.6V的低通态压降，确保了在高功率开关应用中兼具高耐压与高效率。

该器件具备优异的触发灵敏度（Vgt(max)=1.3V， Igt(max)=5mA），便于驱动，并拥有高达120A的非重复浪涌电流承受力，系统鲁棒性强。其工作温度范围覆盖-40°C至150°C，断态漏电流极低，适用于要求严苛的工业控制与消费电子功率调节领域。