TN1625-1000G-TR

TN1625-1000G-TR是ST意法半导体推出的一款高性能标准恢复型晶闸管（SCR），采用表面贴装型DPAK封装。该器件基于成熟的平面钝化工艺制造，其核心架构旨在实现高阻断电压与强电流处理能力的平衡。内部PNPN四层半导体结构经过优化，确保了在高压环境下稳定可靠的开关特性，同时其热设计充分考虑了功率耗散，通过金属接片实现高效的散热路径，为在严苛工况下的连续运行提供了坚实基础。

该晶闸管具备一系列突出的电气特性。其断态电压高达1kV，使其能够从容应对工业级交流电源线路的电压应力。通态电流额定值达到16A RMS，配合最大仅1.6V的通态压降，意味着在承载大电流时产生的导通损耗极低，有助于提升整体系统效率。其栅极触发特性也经过精心设计，最大触发电压（Vgt）为1.3V，最大触发电流（Igt）为25mA，这为驱动电路的设计提供了便利，并增强了抗干扰能力。此外，其断态漏电流极低（最大5A），在关断状态下几乎不消耗功率。

在接口与参数方面，该器件采用TO-263-3（DPak）封装，这是一种三引脚（阳极、阴极、门极）加一个大型金属散热接片的封装形式，非常适合自动化表面贴装（SMT）生产。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C，确保了在宽温环境下的可靠性。浪涌电流承受能力是其另一关键参数，在50Hz和60Hz工频下，非重复浪涌电流（Itsm）分别可达190A和200A，这为应对电机启动、短路等瞬时过载情况提供了充足的裕量。对于需要本地化技术支持和稳定供货渠道的用户，可以联系ST中国代理获取详细的产品资料和供应链服务。

凭借其高电压、大电流、低损耗和强抗浪涌能力，TN1625-1000G-TR非常适用于需要坚固、可靠功率控制的领域。典型应用包括工业交流开关、固态继电器（SSR）、电机控制与驱动电路、不间断电源（UPS）系统、电池充电管理以及各类照明和加热控制设备。其表面贴装封装也顺应了现代电力电子设备向高密度、自动化生产发展的趋势，是工程师设计紧凑型、高效率功率控制方案的优选器件。

• 型号:TN1625-1000G-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > SCR
• 描述:SCR 1KV 16A D2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 电压 - 断态:1 kV
• 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）:1.3 V
• 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）:25 mA
• 电压 - 通态 (Vtm)（最大值）:1.6 V
• 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）:10 A
• 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）:16 A
• 电流 - 保持 (Ih)（最大值）:40 mA
• 电流 - 断态（最大值）:5 A
• 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):190A，200A
• SCR 类型:标准恢复型
• 工作温度:-40°C ~ 125°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
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TN1625-1000G-TR是ST意法半导体生产的一款标准恢复型表面贴装晶闸管。该器件核心优势在于其1kV的高断态电压与16A RMS的通态电流能力，结合最大仅1.6V的低通态压降，实现了高压应用下的高效功率控制。

其封装采用TO-263-3 (DPak)，便于自动化贴装并具有良好的散热性能。参数方面，器件具备低至1.3V/25mA的栅极触发要求、高达200A的浪涌电流承受能力以及-40°C至125°C的宽工作温度范围，这些特性共同确保了其在严苛工业环境中的稳定性和可靠性。