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TN2540-800G-TR的图片

TN2540-800G-TR

ST图标
分立半导体产品 > 晶闸管 > SCR
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:SCR 800V 25A D2PAK
原厂封装:封装:D2PAK
优势价格,TN2540-800G-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TN2540-800G-TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

TN2540-800G-TR是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款标准恢复型晶闸管(SCR),采用表面贴装型DPak(TO-263AB)封装,专为高电压、大电流的功率控制与保护应用而设计。该器件内部采用成熟的平面钝化工艺和优化的PNPN四层半导体结构,确保了在800V断态电压下的高阻断能力和稳定的开关特性。其核心设计旨在提供坚固的浪涌电流承受能力和低通态损耗,通过精确的结温控制和热管理设计,使芯片能够在-40°C至125°C的宽温度范围内可靠工作。

该器件具备多项关键电气特性,其800V的高断态电压使其能够从容应对工业电网中的电压波动和瞬态过压。在导通方面,最大1.6V的通态压降(Vtm)有效降低了导通损耗,提升了系统整体效率。其栅极触发特性较为灵敏,最大触发电压(Vgt)为1.3V,最大触发电流(Igt)为40mA,便于与多种控制电路接口。值得注意的是,其非重复浪涌电流(Itsm)能力高达300A(50Hz)和314A(60Hz),结合25A的RMS通态电流和16A的平均通态电流,赋予了其卓越的过载和短路保护能力,能够承受电机启动、电容充电等场合产生的瞬时大电流冲击。

在接口与参数层面,TN2540-800G-TR的断态漏电流极低,最大值仅为5A,有助于降低待机功耗。其保持电流(Ih)最大值为50mA,确保了在触发移除后能维持稳定导通,直至主回路电流自然过零关断,这一特性使其非常适合用于交流相位控制。其DPak封装不仅提供了优异的散热性能,便于通过PCB铜箔将热量导出,也满足了现代电子设备对高功率密度和自动化生产的需求。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理进行采购,以确保获得原厂正品和完整的应用支持。

基于其高耐压、大电流和强抗浪涌能力,TN2540-800G-TR非常适合应用于工业领域的交流功率控制与保护电路。典型应用场景包括交流电机驱动器、固态继电器(SSR)、不间断电源(UPS)系统、电池充电器以及照明调光控制器。在电磁炉、空调压缩机等家电的功率控制模块中,它也能作为可靠的开关元件。其稳健的设计使其成为替代机械继电器、实现无火花、长寿命、高可靠性功率切换方案的理想选择。

  • 型号:TN2540-800G-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > SCR
  • 描述:SCR 800V 25A D2PAK
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 断态:800 V
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):40 mA
  • 电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V
  • 电流 - 通态 (It (AV))(最大值):16 A
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):25 A
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):50 mA
  • 电流 - 断态(最大值):5 A
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):300A,314A
  • SCR 类型:标准恢复型
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
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TN2540-800G-TR是意法半导体生产的一款标准恢复型表面贴装晶闸管。该器件核心优势在于其800V的高断态电压25A的RMS通态电流能力,为高压功率控制应用提供了坚实的基础。

其电气参数表现出色,最大通态压降仅为1.6V,有助于提高能效。同时,高达300A以上的非重复浪涌电流承受能力,使其具备卓越的抗瞬时过载和短路冲击性能,适用于存在浪涌电流的严苛环境。器件采用DPak封装,具有良好的散热特性,工作温度范围覆盖-40°C至125°C,确保了在各种工业条件下的长期可靠性。

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