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TPDV1225RG的图片

TPDV1225RG

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNISTOR 1.2KV 25A TOP3
原厂封装:封装:TOP3
优势价格,TPDV1225RG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TPDV1225RG的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

TPDV1225RG是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能、高可靠性的双向可控硅(TRIAC)功率半导体器件,隶属于其成熟的晶闸管产品线。该器件采用经典的TOP-3通孔封装,专为要求严苛的工业和消费类功率控制应用而设计,能够在-40°C至125°C的宽结温范围内稳定工作,确保了其在恶劣环境下的长期可靠性。

该器件的核心架构基于无缓冲器(Snubberless)设计,这一特性使其在关断过程中能够承受较高的电压变化率(dv/dt),从而显著简化了外围电路,无需额外的缓冲网络即可抑制开关瞬态电压,有效降低了系统复杂度和整体成本。其单路配置提供了简洁的功率控制接口,通过栅极的低压触发信号即可实现对高电压、大电流交流负载的精确相位控制。

在功能特点上,TPDV1225RG的突出优势在于其高达1.2kV的断态重复峰值电压(VDRM)25A的方均根通态电流(IT(RMS)),这使其能够直接应对三相380VAC或更高电压等级的工业电网环境,并提供充足的电流裕量。其栅极触发特性非常灵敏,最大触发电压(VGT)仅为1.5V,最大触发电流(IGT)为150mA,这意味着它可以使用功耗极低的驱动电路或微控制器直接进行控制。同时,其保持电流(IH)最大值为50mA,确保了在触发后能够稳定导通,直至负载电流自然过零。该器件还具备优异的抗浪涌电流能力,其非重复浪涌电流(ITSM)在50Hz和60Hz工频下分别达到230A和250A,能够从容应对电机启动、白炽灯冷态接入等产生的瞬时大电流冲击。

在接口与参数方面,除了上述电气特性,其标准的TOP-3封装提供了优异的散热性能和机械强度,便于通过散热器进行高效的热管理。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理渠道进行采购,以确保获得原装正品和全面的应用支持。该器件主要面向中高功率的交流相位控制、固态继电器和软启动应用,例如工业加热控制、交流电机调速、照明调光器以及大功率电源的输入级切换等场景。其高耐压、大电流和强抗浪涌能力,使其成为替代传统机械继电器和接触器,实现无火花、长寿命、高频率开关控制的理想固态解决方案。

  • 型号:TPDV1225RG
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TOP3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNISTOR 1.2KV 25A TOP3
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:1.2 kV
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):25 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):230A,250A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):150 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):50 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TOP-3
  • 供应商器件封装:TOP3
  • 想获取TPDV1225RG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

TPDV1225RG是ST意法半导体生产的一款高性能无缓冲器双向可控硅(TRIAC),采用TOP-3通孔封装。其核心卖点在于高达1.2kV的断态电压和25A的方均根通态电流,能够直接用于高压大电流的交流功率控制回路。

该器件具备优异的触发特性,最大栅极触发电压仅1.5V,触发电流150mA,便于驱动。同时,其非重复浪涌电流能力高达230A(50Hz)/250A(60Hz),并能在-40°C至125°C的结温范围内工作,确保了在电机启动、负载切换等严苛工况下的高可靠性和鲁棒性。

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